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        EEPW首頁 >> 主題列表 >>   英飛凌

        英飛凌推出全新CoolGaN? Drive產(chǎn)品系列,包括帶有集成驅(qū)動器的集成單開關(guān)和半橋

        • 消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發(fā)展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設(shè)計,同時還需采用非常規(guī)?PCB設(shè)計,此類設(shè)計面臨嚴(yán)格的空間限制,從而限制了外部元件的使用。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN??Drive產(chǎn)品系列,進(jìn)一步豐富了其氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品系列包括CoolGaN? Drive 650 V G5?單開關(guān)(集成了一個晶體管和柵極驅(qū)動器,采用PQFN 5x6和PQFN 6x8?封裝)和CoolGa
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        TrendForce:預(yù)計2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模上升至43.76億美元

        • 8月15日消息,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告顯示,隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長率)高達(dá)49%。報告顯示,非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動等場景為核心。
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        英飛凌推出PSOC? Control MCU系列,用于工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的電機(jī)控制與功率轉(zhuǎn)換

        • 英飛凌科技股份公司近日推出全新PSOC? Control微控制器(MCU)系列。該系列適用于新一代工業(yè)和消費(fèi)電機(jī)控制以及功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用,包括家用電器、電動工具、可再生能源產(chǎn)品、工業(yè)驅(qū)動器,以及照明和計算/通信電源等?;贏rm??Cortex?-M33內(nèi)核的全新英飛凌PSOC? Control系列產(chǎn)品可提供板載功能,用于優(yōu)化和加速電流測量、波形生成和實(shí)時性能操作,這些功能在目標(biāo)系統(tǒng)應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。英飛凌科技工業(yè)MCU、物聯(lián)網(wǎng)、無線和計算業(yè)務(wù)高級副總裁?Steve Tate
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        英飛凌推出高性能CIPOS? Maxi智能功率模塊,適用于功率高達(dá)4千瓦的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器

        • 英飛凌科技股份有限公司近日推出用于電機(jī)驅(qū)動的低功耗CIPOS? Maxi智能功率模塊?(IPM)?系列,進(jìn)一步擴(kuò)展了其第七代TRENCHSTOP? IGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1?系列基于最新的TRENCHSTOP IGBT7 1200 V和快速二極管EmCon 7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計,該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗,提高了效率和功率密度。該產(chǎn)品組合包括三款新產(chǎn)品IM12B10CC1、IM12B15CC1和?IM12B20
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        一款適用于光伏應(yīng)用的半橋評估板設(shè)計

        • 光伏,作為重點(diǎn)發(fā)展的新質(zhì)生產(chǎn)力,其市場規(guī)模仍在迅速發(fā)展擴(kuò)大中,其技術(shù)迭代也在不斷演進(jìn)升級。英飛凌作為半導(dǎo)體技術(shù)和市場應(yīng)用的領(lǐng)軍企業(yè),發(fā)布了一系列具有差異化附加價值的創(chuàng)新半導(dǎo)體,并同時推出了一款適用于光伏應(yīng)用的半橋拓?fù)湓u估板,為工程師分享了系統(tǒng)設(shè)計的參考方案,并提供了器件性能的評估平臺。光伏應(yīng)用的發(fā)展趨勢光伏電壓平臺的高壓化,可以降低系統(tǒng)成本,提高能量轉(zhuǎn)換效率,簡化研發(fā)設(shè)計方案,是光伏應(yīng)用公認(rèn)的發(fā)展趨勢之一。為了實(shí)現(xiàn)高壓平臺化,離不開光伏板,功率器件,無源器件,結(jié)構(gòu)件等的技術(shù)發(fā)展。我們就功率半導(dǎo)體的發(fā)展,來
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        英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

        • ●? ?馬來西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項(xiàng)目的生產(chǎn)運(yùn)營啟動儀式?!? ?新晶圓廠將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位?!? ?強(qiáng)有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計訂單為持續(xù)擴(kuò)建提供了支撐?!? ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運(yùn)營實(shí)踐中采取先進(jìn)的節(jié)能和可持續(xù)舉措。馬來西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務(wù)大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Han
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        英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用,未來將成世界最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

        • IT之家 8 月 8 日消息,英飛凌今日宣布,其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)(Kulim 3)一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn),也將關(guān)注氮化鎵(GaN)外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設(shè)計劃,投資額達(dá) 20 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 143.43 億元人民幣),可創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元(當(dāng)前約 358.57 億元人民幣)的 Kulim 3 二期計劃
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        實(shí)驗(yàn) | 我們的城市為什么越來越熱?

        • 全球氣候在變暖,我們焚燒石油,煤炭等化石燃料,產(chǎn)生了大量二氧化碳等溫室氣體,導(dǎo)致全球氣候變暖,尤其大陸氣溫升高,城市變得越來越熱。圖:上海前灘的夜晚,被太陽曬熱的建筑熱島效應(yīng)夏天天太熱,在陽光下火辣辣的,大家一定會抱怨太陽太猛。但你知道嗎?上海的夏天越來越熱不能怪太陽,大城市自身散發(fā)的熱量可以高達(dá)來自太陽輻射熱量的五分之二。城市中心氣溫一般比周圍郊區(qū)高1℃左右,最高可達(dá)6℃以上,上海最高氣溫經(jīng)常逼近歷史最高點(diǎn)。7月15日上午10點(diǎn),上海市中心溫度34.6度,而郊縣的東灘濕地才29.4度,市中心竟然熱5.2
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        英飛凌2024財年第三季度營收和利潤略有增長

        • ●? ?2024財年第三季度:營收為37.02億歐元,利潤達(dá)7.34億歐元,利潤率為19.8%。●? ?2024財年第四季度展望:假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.10, 預(yù)計營收約為40億歐元。在此基礎(chǔ)上,利潤率預(yù)計將達(dá)到20%左右。●? ?2024財年展望:基于前三季度的業(yè)績表現(xiàn)以及對第四季度的業(yè)績展望,預(yù)計整個2024財年的營收將達(dá)到150億歐元左右,利潤率約為20%。調(diào)整后的毛利率預(yù)計在40%至45%之間。預(yù)計投資額將達(dá)到約28億歐元。考慮到對
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        英飛凌與Swoboda合作開發(fā)電動汽車高性能電流傳感器

        • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司與Swoboda共同開發(fā)和銷售用于汽車應(yīng)用的高性能電流傳感器模塊。此次合作將英飛凌一流的電流傳感器IC與?Swoboda在傳感器模塊開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面的技術(shù)專長相結(jié)合,以滿足混合動力與電動汽車傳感解決方案市場的快速增長。雙方聯(lián)合開發(fā)的高性能電流測量解決方案加快了牽引逆變器和電池管理系統(tǒng)等大批量應(yīng)用,以及其他關(guān)鍵汽車應(yīng)用的上市時間。其中的首款產(chǎn)品Swoboda CSM510HP2采用全封裝電流傳感器模塊,在不影響性能的情況下顯著減少了占用面積。
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        貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

        • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù),開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-A
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        英飛凌加速氮化鎵布局,引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

        • 近年來,隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長,半導(dǎo)體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵(GaN)作為一種新型半導(dǎo)體材料,以其高功率、高效率、耐高溫等特性,在消費(fèi)電子、電動汽車、可再生能源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕,通過戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日,英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會,會上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
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        英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ,助力汽車控制器應(yīng)用

        • OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。如下圖所示,英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻的演進(jìn)。英飛凌40V MOSFET比導(dǎo)通電阻代際演進(jìn)英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術(shù),是當(dāng)今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無引腳封裝結(jié)合銅夾技術(shù)的使用,大幅提高了產(chǎn)品的電流能
        • 關(guān)鍵字: OptiMOS  MOSFET  英飛凌  

        英飛凌推出功率系統(tǒng)可靠性建模,減少數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)的電力短缺和停電問題

        • ●? ?電源故障是數(shù)據(jù)中心和電信基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)營商面臨的一項(xiàng)日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)??? ●? ?英飛凌功率系統(tǒng)可靠性建模是保障數(shù)據(jù)中心供電可靠性與穩(wěn)定性的關(guān)鍵步驟●? ?更高的設(shè)備利用率和以數(shù)據(jù)為依據(jù)的維護(hù)建議可提高盈利能力、降低總體擁有成本和碳足跡功率系統(tǒng)可靠性建模解決方案英飛凌科技股份公司近日推出功率系統(tǒng)可靠性建模。這項(xiàng)創(chuàng)新解決方案能夠應(yīng)對數(shù)據(jù)中心和電信基礎(chǔ)設(shè)施面臨的日益嚴(yán)峻的系統(tǒng)電源故障問題。這些設(shè)施39%的宕機(jī)時間因停
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        英飛凌推出提升消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管

        • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出全新CoolGaN?晶體管700 V G4產(chǎn)品系列。與市場上的其他氮化鎵(GaN)產(chǎn)品相比,該系列晶體管的輸入和輸出性能優(yōu)化了20%,從而提高效率,降低功率損耗,并提供了更具成本效益的解決方案。憑借電氣特性與封裝的優(yōu)勢結(jié)合,它們能夠在消費(fèi)類充電器和筆記本適配器、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源逆變器、電池存儲等眾多應(yīng)用中發(fā)揮出色的性能。該產(chǎn)品系列包含13款器件,額定電壓為700 V、導(dǎo)通電阻范圍在20 mΩ至315 mΩ之間。由于器件規(guī)格粒度增多,再
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