“high-na” 文章 進入“high-na”技術(shù)社區(qū)
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應(yīng)對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預(yù)計在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預(yù)計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場
- 據(jù)日本媒體報導(dǎo)，光刻機設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術(shù)越來越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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Derive simple high-current source from lab sup
- Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
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半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)研發(fā)經(jīng)費拮據(jù) 聯(lián)盟關(guān)系將成救星
- 市場研究機構(gòu)Gartner警告，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預(yù)算恐怕在接下來的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機。不過該機構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。 缺乏適當?shù)耐顿Y將導(dǎo)致技術(shù)藍圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰(zhàn)的準備;在目前營收低迷的情況下，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)正面臨著如此的危機點。不過Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結(jié)盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營收減少對研發(fā)所帶來的沖擊。 Fr
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臺灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具
- ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。 除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進行制程開發(fā)活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節(jié)點開發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。 納米節(jié)點上實現(xiàn)成功的high-K制程
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凌華推出High Speed Link延伸模塊
- 凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶提供最長可達2400公尺的長距離使用及多點連接(multi-drop)接線架構(gòu)，搭配高達十余種I/O及運動控制模塊的組合，提供客戶實時控制的完整解決方案。 凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠程I/O實時控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對接線的
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瑞昱推出High Definition 音訊轉(zhuǎn)換芯片
- 音訊內(nèi)容保護 (Content Protection) 技術(shù)與透過傳統(tǒng)電話的Skype應(yīng)用功能加速音訊轉(zhuǎn)換芯片在數(shù)字家庭的應(yīng)用 瑞昱半導(dǎo)體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準音訊轉(zhuǎn)換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內(nèi)建內(nèi)容保護與防拷&nbs
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