高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測量
作者：潘威海 泰克公司D&M產(chǎn)品線亞太區(qū)市場發(fā)展經(jīng)理
時間：2009-03-17
來源：電子產(chǎn)品世界
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圖6 測量電源MOSFET的開關(guān)時間。
與時間相關(guān)需要關(guān)注的參數(shù)是起動時延和關(guān)閉時延及上升時間和下降時間。為測量這些參數(shù)，應(yīng)使用來自信號發(fā)生器輸入的窄脈沖激勵MOSFET的門，然后使用示波器測量門電壓和漏電壓(參見圖4)。
通過使用集成高幅度輸出階段的任意波形/函數(shù)發(fā)生器，而不是外部放大器，用戶可以直接查看MOSFET輸入電路上的有效信號幅度，而不需使用示波器測量幅度。
現(xiàn)在，通過示波器屏幕顯示的曲線中的光標(biāo)測量，可以方便地確定起動時延。起動時延是從門源電壓達(dá)到最后值10%時到漏源電壓下降到初始值90%時所需的時間。類似的，關(guān)閉時延是從門源電壓下降到前一水平90%時到漏源電壓上升到供電電壓10%時所需的時間。為測量漏極信號的上升時間和下降時間，現(xiàn)代示波器提供了方便的自動化測量功能。
圖7 IGBT電路符號和等效電路。
圖8 IGBT門驅(qū)動電路和開關(guān)測試電路。
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