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      2. 新聞中心

        EEPW首頁(yè) > 測(cè)試測(cè)量 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車(chē)、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測(cè)量

        高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車(chē)、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測(cè)量

        作者:潘威海 泰克公司D&M產(chǎn)品線亞太區(qū)市場(chǎng)發(fā)展經(jīng)理 時(shí)間:2009-03-17 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

         

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/92486.htm

          圖2 一個(gè)DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器中四個(gè)的H電橋配置


          圖3 示意圖和等效電路。

          圖2顯示了驅(qū)動(dòng)DC馬達(dá)的H電橋拓?fù)渲惺褂玫?a class="contentlabel" href="http://www.antipu.com.cn/news/listbylabel/label/MOSFET">MOSFET實(shí)例。這一配置提供了前向、后向和制動(dòng)功能。

          在作為開(kāi)關(guān)使用時(shí),MOSFET的基本功能是通過(guò)門(mén)信號(hào)控制漏電流。在這些應(yīng)用中,開(kāi)關(guān)時(shí)間是電路設(shè)計(jì)人員選擇元件時(shí)考慮的一個(gè)重要指標(biāo)。MOSFET的開(kāi)關(guān)性能取決于通過(guò)內(nèi)部電容建立電壓變化所需的時(shí)間(參見(jiàn)圖3)。注意,門(mén)源電壓必須先把MOSFET的輸入電容變成特性門(mén)限電平,然后漏電流才能起動(dòng)。

         

          圖4 測(cè)量電源MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間的設(shè)置。

         

          圖5 AFG3011直接在顯示器上顯示幅度。



        關(guān)鍵詞: 泰克 MOSFET IGBT 200903

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