4月19日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當前的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。

　　在日前于北京召開的“英特爾信息技術(shù)峰會（IDF）”上，英特爾首席技術(shù)官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存，并表示，PRAM有潛力取代當前的DRAM。

　　Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來DRAM和閃存的替代品。

　　據(jù)英特爾稱，PRAM的讀寫速度相當于閃存的1000多倍，而能耗只有當前閃存的1/2。目前，英特爾與意法半導體攜手開發(fā)這種PRAM產(chǎn)品。