三星去年8月就宣布推出全球第一款采用3D立體硅穿孔封裝技術打造的內(nèi)存芯片，單條DDR4內(nèi)存條容量高達64GB。三星近日宣布,將批量生產(chǎn)128GB內(nèi)存芯片，容量比去年翻了一倍。

　　“我們很高興批量生產(chǎn)高速度運行、低功耗的128GB立體硅穿孔封裝技術DRAM內(nèi)存，這將促進我們?nèi)騃T客戶和合作伙伴推出新一代的企業(yè)解決方案,”三星電子內(nèi)存銷售及營銷的副總裁JooSunChoi稱。

　　據(jù)悉，在這個小小的內(nèi)存芯片中，三星內(nèi)置了144個芯片，形成了36×4GBDRAM封裝，每個封裝中有4×8Gb芯片，所以采用128GB的容量。而且該內(nèi)存芯片采用了三星最先進的20毫微米工藝制造，數(shù)據(jù)傳輸速度高達2400Mbps。它的作用是，代替使用互連引線接合，像在常規(guī)芯片封裝芯片堆疊的是，在芯片管芯是第一精細研磨，然后用細孔穿孔電極由穿過孔垂直連接。這提升信號傳輸并配上模塊的特殊設計，當它優(yōu)化模塊的功耗和性能。

　　三星正研究20毫微米的8GB內(nèi)存芯片，接下來數(shù)據(jù)傳輸速度將逐步提升到3200Mbps和2667Mbps。另外，三星還會把硅穿孔技術應用到高帶寬內(nèi)存中。

　　這是一個什么樣的概念?這或許意味著在條件允許的情況下，就算你玩的是目前市面上所需配置最高的游戲，不論是單機還是網(wǎng)絡游戲，十開都不會卡!這絕對不是夸大其詞，畢竟，8GB配置的筆記本電腦目前就基本已經(jīng)可以支持玩所有的大型游戲了。

　　當然，這樣一個RAM內(nèi)存芯片的價格自然不會便宜，雖然三星沒有給出具體價格，但是他們也表示，這款RAM內(nèi)存芯片的價格絕對不會低于一臺普通的筆記本電腦。