7 月 17 日消息，韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。

注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結(jié)構(gòu)（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導體，能更好地保持穩(wěn)定電壓以應(yīng)對電流變化。

硅電容具有許多優(yōu)點，讓其成為集成電路中常用的元件之一：

· 首先，硅電容的制造成本較低，可以通過批量制造的方式大規(guī)模生產(chǎn)。

· 其次，硅電容具有較高的可靠性和長壽命。由于其結(jié)構(gòu)簡單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低。

· 此外，硅電容的尺寸小，占據(jù)空間少，適合集成電路的微型化和高密度集成。

報道指出三星電機（Samsung Electro-Mechanics）已開發(fā)出用于量產(chǎn) Exynos 2500 芯片的測試設(shè)備，該芯片的前期量產(chǎn)工作已經(jīng)就緒，即將開始量產(chǎn)。

三星計劃在明年推出的 Galaxy S25、Galaxy S25+（有相關(guān)線索表明會被砍掉，目前無法確認）兩款手機上使用 Exynos 2500 芯片。