從AMD分離出來(lái)的Globalfoundries(格羅方德，簡(jiǎn)稱GF)經(jīng)常被人說(shuō)成不靠譜，AMD的CPU、APU多次因GF制程問(wèn)題一波三折，前幾 天又爆出GF的14nm良率不行，進(jìn)度延期，以致于AMD的Zen架構(gòu)可能轉(zhuǎn)向TSMC的16nm FinFET。面對(duì)這樣的“負(fù)面新聞”，GF公司辟謠稱他們的第二代14nm LPP已經(jīng)流片，性能及良率都很好，而該制程的一大客戶就是AMD。

　　前兩年GF公司放棄了自研的14nm XM制程改為直接授權(quán)三星的14nm FinFET制程，GF的14nm晶圓廠位于紐約州馬耳他市的Fab 8工廠，其中又分為兩個(gè)版本，初期的是14nm LPE(low-power early)及14nm LPP(Low Power Plus，高級(jí)低功耗制程)，前者主要面向低功耗處理器，而14nm LPP是第二代制程，頻率比14nm LPE高了10%。

　　對(duì)于14nm LPP制程的進(jìn)度，GF公司的高管Jason Gorss表示“高性能的14nm LPP預(yù)計(jì)在2015年下半年完成認(rèn)證，2016年早些時(shí)候開始量產(chǎn)。”

　　根據(jù)GF公司所說(shuō)，他們的14nm LPP制程最近已經(jīng)完成了流片驗(yàn)證(雖然GF今年4月份就說(shuō)過(guò)高性能制程已經(jīng)流片了)。對(duì)集成電路研發(fā)來(lái)說(shuō)，流片是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)中最后一個(gè)步驟，意味著晶片已經(jīng)開始進(jìn)入樣片過(guò)程。

　　GF公司表示“原型測(cè)試表明這些流片的樣品展示出了極好的邏輯及SRAM性能、良率，接近100%的目標(biāo)。”

　　GF公司的14nm LPP良率、效能穩(wěn)定對(duì)AMD來(lái)說(shuō)也是好事一件了，今年5月份的分析師會(huì)議上AMD確認(rèn)新一代處理器及GCN架構(gòu)顯卡都會(huì)升級(jí)到FinFET，而GF公司無(wú)論如何都是他們繞不過(guò)去的一個(gè)重要的晶圓代工夥伴。