宜普電源轉換公司宣布推出3個采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)。這些產(chǎn)品采用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實現(xiàn)大電流承載能力。

　　與具有相同的電阻的先進硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D類音頻放大器等應用的理想器件。