在Galaxy S6搭載最高128GB儲存容量后，三星似乎也計畫讓更多手機也能享有大容量，稍早宣布將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時最高儲存容量達128GB的3-bits-per-cell NAND Flash儲存元件，并且對應(yīng)每秒達260MB讀取速度表現(xiàn)，預期將使中階規(guī)格以下手機產(chǎn)品，以及多數(shù)存儲卡產(chǎn)品能在成本預算內(nèi)有更大儲存容量選擇。

　　根據(jù)三星公布消息，預計將推出以eMMC 5.0技術(shù)為基礎(chǔ)，同時最高儲存容量達128GB的3-bit NAND Flash儲存元件，同時讀取速度表現(xiàn)將達每秒達260MB。雖然整體不比搭載于Galaxy S6系列機種的UFS規(guī)格有更高存取效能，但此次推出的新款NAND Flash儲存元件提供在成本預算內(nèi)有更大儲存容量選擇，并且保有一定存取效能的使用特性。

　　目前三星并未說明此項產(chǎn)品將在何時供貨，但預期未來將使中階規(guī)格以下手機產(chǎn)品，以及多數(shù)存儲卡產(chǎn)品能在成本預算內(nèi)有更大儲存容量選擇。