美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)美光科技(Micron Technology)將增產(chǎn)用于智慧手機(jī)等產(chǎn)品的半導(dǎo)體記憶體。將向去年收購(gòu)的原爾必達(dá)記憶體位于日本廣島的工廠投資1千億日元，力爭(zhēng)2015財(cái)年(截 至15年8月)內(nèi)將產(chǎn)能提高20%。今年美光科技在該工廠時(shí)隔3年重啟大規(guī)模投資，計(jì)劃通過(guò)積極投資來(lái)追趕在相關(guān)領(lǐng)域位居全球首位的韓國(guó)三星電子。

　　美光科技將在廣島增產(chǎn)使用最尖端微細(xì)加工技術(shù)(線(xiàn)寬為20奈米)的DRAM。和上一代25奈米線(xiàn)寬相比，從1枚晶圓上可以獲得的半導(dǎo)體晶片數(shù)量將增加約 20%，生產(chǎn)效率將大幅提高。美光科技還將在旗下的臺(tái)灣工廠實(shí)施增產(chǎn)投資，爭(zhēng)取將美光整體的DRAM供給能力提高20%。

　　美光本財(cái)年計(jì)劃在全球?qū)嵤?8億美元的設(shè)備投資，將把一半左右用于DRAM。該公司的首席執(zhí)行官(CEO)馬克·杜爾坎(Mark Durcan)在接受日本經(jīng)濟(jì)新聞(中文版：日經(jīng)中文網(wǎng))采訪(fǎng)時(shí)表示“移動(dòng)終端和伺服器等產(chǎn)品的DRAM需求旺盛，今后也將根據(jù)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，積極實(shí)施投 資”。

　　關(guān)于長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)的NAND型記憶卡，杜爾坎表示將在2015年推出使用最尖端三維技術(shù)的產(chǎn)品。三星占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品方面，計(jì)劃在原爾必達(dá)的秋田工廠完成部分生產(chǎn)工序。