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        便攜式設(shè)備中的電源效率

        —— 德州儀器 Viktor Strik 與 Sergei Strik
        作者: 時(shí)間:2014-10-29 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          摘要

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/264576.htm

          對(duì)于便攜式設(shè)備以及模擬IC的噪聲抗擾度來說都非常重要。本文主要介紹電壓參考電路,其不僅支持極低的工作靜態(tài)電流(低于250nA),而且還符合標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。這種電路針對(duì)各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),適合便攜式電子設(shè)備、汽車、醫(yī)療設(shè)備,以及高電源抑制比 (PSRR) 和開關(guān)噪聲抗擾度都非常重要的片上系統(tǒng) () 實(shí)施。

          上述電壓參考在低頻率下支持90dB。輸出電壓變化的標(biāo)準(zhǔn)偏差是 0.5%,在–40℃至125℃溫度范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為15ppm/℃。這些特性可在1.6V至5.5V的電源電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)。可實(shí)施各種用于為電壓參考實(shí)現(xiàn)輸入噪聲抗擾度的方法。

          介紹

          幾乎每款模擬電路都需要高精度高穩(wěn)定參考電壓或電流源。不過,在選擇片上系統(tǒng)() 技術(shù)時(shí),參考電壓模塊不應(yīng)成為限制因素。也就是說這類系統(tǒng)所選用的技術(shù)工藝對(duì)于參考電壓源來說并不一定總是最理想的。因此,其設(shè)計(jì)應(yīng)該更穩(wěn)健,才能適應(yīng)各種技術(shù)工藝的變化。

          電池通??勺鳛?a class="contentlabel" href="http://www.antipu.com.cn/news/listbylabel/label/SoC">SoC的電源。這就更需要提高工作在大電源電壓范圍內(nèi)的電壓參考源的線性穩(wěn)壓性能。要延長(zhǎng)電池使用壽命,就需要低靜態(tài)電源電流。同時(shí),還需要在寬泛頻率下實(shí)現(xiàn)高電源抑制比(PSRR),以抑制來自高速數(shù)字電路、降壓轉(zhuǎn)換器或片上其它開關(guān)電路的噪聲。本文主要介紹具有高PSRR的超低靜態(tài)電流帶隙電壓參考。

          基本帶隙電壓參考結(jié)構(gòu)

          改善 PSRR的主題思想是在低壓降穩(wěn)壓器()后面布置一個(gè)帶隙電壓源?,F(xiàn)有線性穩(wěn)壓器拓?fù)湓陟o態(tài)電流、DC負(fù)載穩(wěn)壓、瞬態(tài)響應(yīng)、去耦電容以及硅芯片面積要求方面存在很大差異。由于我們的目標(biāo)是在沒有外部電容器的情況下,在同一芯片上提供全面集成型 ,因而典型結(jié)構(gòu)并不適合。

          這些結(jié)構(gòu)與超低靜態(tài)電源電流相矛盾。為了緩解這一矛盾,您可為L(zhǎng)DO 使用與參考源相同的帶隙。不宜采用標(biāo)準(zhǔn)LDO結(jié)構(gòu)的原因在于它需要輸出電容器來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定工作。最佳選項(xiàng)是帶一個(gè)增益級(jí)的結(jié)構(gòu),其無需輸出電容器便可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定。

          低壓降穩(wěn)壓器

          圖1是該設(shè)計(jì)[1]中所使用LDO的內(nèi)核及其簡(jiǎn)化原理圖。圖1[2]中的M0和M4代表翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器(FVF),其可實(shí)施無逆向功能及相關(guān)極點(diǎn)的單級(jí)穩(wěn)壓。靜態(tài)電流由晶體管M1和M3確定。晶體管M2 可作為共柵放大器。

          LDO的開環(huán)增益由第一個(gè)級(jí)聯(lián)級(jí)(即晶體管M2和M3)決定。可作為負(fù)載的 M4 PMOS跟隨器存在低阻抗源,因此 FET M0的輸出增益接近1。在圖2中的小型信號(hào)等效電路的幫助下,對(duì)所推薦的 LDO結(jié)構(gòu)進(jìn)行穩(wěn)定性分析,結(jié)果顯示只有一個(gè)極點(diǎn)(公式1):

          

         

          可作為補(bǔ)償電容器的M0柵源電容器可創(chuàng)建 LDO的主極點(diǎn)。因此無需去耦片外電容器,便可使LDO[3]穩(wěn)定。

          

         

          圖1.具有翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器、無輸出電容器的LDO

          

         

          圖2.LDO的小型信號(hào)等效電路

          這種LDO的另一項(xiàng)優(yōu)勢(shì)是簡(jiǎn)單的自啟動(dòng)程序,其無需專用電路。最初,在電壓VDD 為 0 時(shí),VOUT也為 0,跟隨器M4 在無反饋的情況下關(guān)閉,M1的偏置電流大于M3的偏置電流。因此,柵極電壓M0 不僅可降低,而且還可驅(qū)動(dòng)輸出電壓VOUT至所選的輸出電壓值。

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