雪崩光電二極管（APD）是一種高靈敏度、高速度的光電二極管。施加反向電壓時，能啟動其內(nèi)部的增益機構(gòu)。APD的增益可以由反向偏置電壓的幅度來控制。反向偏置電壓越大增益就越高。APD在電場強度的作用下工作，光電流的雪崩倍增類似于鏈式反應。APD應用于對光信號需要高靈敏度的各種應用場合，例如光纖通訊、閃爍（scintillation）探測等。

　　對APD的測量一般包括擊穿電壓、響應度和反向偏置電流等。典型APD的最大額定電流為10-4到10-2A，而其暗電流則可低達10-12到10-13A的范圍。最大反向偏置電壓隨APD的材料而變化，銦砷化鎵（InGaAs）材料的器件可達100V，硅材料的器件則可高達500V。

　　測試介紹

　　測量APD的反向偏置電流需要一種能夠在很寬范圍內(nèi)測量電流并且能輸出掃描電壓的儀器。由于這種要求，吉時利6487型皮安計電壓源或者6430型亞飛安（Sub-Femtoamp）源-表等儀器對于這類測量工作是非常理想的。

　　圖4-19 所示為6430型亞飛安源-表連接到一個光電二極管上。該光電二極管安放在一個電屏蔽的暗箱中。為了對敏感的電流測量進行屏蔽，使其不受靜電干擾的影響，將此暗箱與6430型亞飛安源表的低端相連。

　　圖4-20示出使用6430型數(shù)字源表測量得到的銦砷化鎵（InGaAs）材料APD的電流與反向掃描電壓的關系曲線，注意其電流測量的范圍很寬。隨著光的增強，雪崩區(qū)域變得更加明顯。擊穿電壓將引起電流自由流動，因為這時會形成電子空穴對，而不再需要光照射二極管來產(chǎn)生電流。