橋臂共導(dǎo)損壞

　　在UPS 中，逆變橋同臂支路兩個驅(qū)動必須是互鎖的，而且應(yīng)該設(shè)置死區(qū)時間（即共同不導(dǎo)通時間）。如果發(fā)生共導(dǎo)，IGBT 會迅速損壞。在控制電路應(yīng)該考慮到各種運(yùn)行狀況下的驅(qū)動問題控制時序問題。

　　過熱損壞

　　可通過降額使用，加大散熱器，涂敷導(dǎo)熱膠，強(qiáng)制風(fēng)扇制冷，設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來解決過熱損壞的問題。

　　此外還要注意安裝過程中的靜電損壞問題，操作人員、工具必須進(jìn)行防靜電保護(hù)。

　　5. 結(jié)論

　　IGBT 兼具有功率MOSFET 和GTR 的優(yōu)點(diǎn)，是UPS 中的充電、旁路開關(guān)、逆變器，整流器等功率變換的理想器件。

　　只有合理運(yùn)用IGBT，并采取有效的保護(hù)方案，才可能提高IGBT 在UPS 中的可靠性。