Inversion Semiconductor Inc.（加利福尼亞州舊金山）是一家 2024 年的初創(chuàng)公司，計劃利用粒子加速為下一代光刻技術(shù)開發(fā)更亮、更可調(diào)的光源。

該公司表示，與現(xiàn)有系統(tǒng)相比，它將能夠以高達(dá) 15 倍的速度制造芯片，并且具有更精細(xì)的功能。

Inversion 加入 Lace Lithography 是一家初創(chuàng)公司，希望取代或至少被視為成熟的光刻市場領(lǐng)導(dǎo)者 ASML Holding NV 的替代品。當(dāng)然，這兩家初創(chuàng)公司都看到了使用 13.5nm 波長的極紫外光進(jìn)行光刻膠閃光曝光的進(jìn)一步開發(fā)的挑戰(zhàn)。

Inversion 的光刻方法基于使用一種稱為激光尾流場加速 （LWFA） 的現(xiàn)象來創(chuàng)建緊湊的高功率光源。Inversion 預(yù)計 LWFA 可以將用于產(chǎn)生高能光的傳統(tǒng)粒子加速器縮小 1,000 倍到桌面大小——即從幾公里縮小到一米左右。這是 Inversion 的支持者 Y Combinator 創(chuàng)業(yè)加速器和風(fēng)險投資公司的說法。

LWFA 利用強激光脈沖和等離子體之間的相互作用，在非常短的距離內(nèi)將電子加速到極高的能量。這個過程類似于沖浪者在船后面乘風(fēng)波：電子在等離子體波中“沖浪”并在行進(jìn)過程中獲得能量。

調(diào)低波長

Inversion 估計它可以使用 LWFA 在短距離內(nèi)將電子加速到多個 GeV 的能量。然后，這些高能電子通過自由電子激光器，該激光器使用磁性結(jié)構(gòu)使電子發(fā)射精確波長的相干光

Inversion 計劃像傳統(tǒng)的 EUVL 一樣使用其先進(jìn)的光源來投影圖案，但光源可調(diào)諧至 13.5nm 或更低的波長，下一代目標(biāo)為 6.7nm。此外，該公司聲稱，它可以在相同的數(shù)值孔徑下將晶體管密度增加一倍，同時實現(xiàn)比當(dāng)前機器高出三倍的吞吐量。光源也可能足夠亮，可以照亮多個晶圓臺，因此一個光源和四臺或八臺光刻機將進(jìn)一步提高制造效率。

該公司由擔(dān)任首席執(zhí)行官的 Rohan Karthik 和首席技術(shù)官 Daniel Vega 創(chuàng)立。這兩個項目在得到 Y Combinator 創(chuàng)業(yè)孵化器的支持之前被 Entrepreneur First 計劃選中。Karthik 在英國利茲和倫敦帝國理工學(xué)院接受教育，而 Vega 在加利福尼亞州爾灣開始接受教育，但在倫敦大學(xué)學(xué)院度過了一年，并在歐洲粒子加速研究園區(qū) CERN 進(jìn)行了研究。

這兩位企業(yè)家在舊金山 Y Combinator 大樓的地下室建立了一個激光實驗室，并計劃與勞倫斯伯克利國家實驗室一起測試加速器原型。