Layout設(shè)計中的幾個關(guān)鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱，英諾賽科高壓單管GaN的Layout設(shè)計也不例外。

反激拓撲是高壓單管GaN的典型應(yīng)用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導(dǎo)致驅(qū)動振蕩。



在GaN應(yīng)用時，Layout上還需注意以下方面：

1) 由于電流檢測電阻的存在，此種場合GaN的開爾文腳與源極直接連接，否則電流采樣電阻失去作用。

2) Source端與bulk電容地的走線盡可能短、粗，減小寄生電感LS。

3) 驅(qū)動電路和功率電路分開布置，避免干擾

4) 驅(qū)動IC及驅(qū)動電路盡量靠近GaN一些，減小驅(qū)動回路的走線和面積

5) 高壓場合，GaN的漏源極交疊銅皮的寄生電容盡量小，以優(yōu)化開關(guān)loss。



下面為DFN封裝的高壓GaN在65W快充應(yīng)用中的layout案例：





QR反激拓撲，GaN在高網(wǎng)下無法零電壓開通，GaN的漏極和源極的鋪銅如果形成寄生電容，會額外增大開通loss，該案例的Layout中避免了該問題，由左圖可見。同時，GaN的功率回路和驅(qū)動回路在布局上較好的分開，避免了功率電路對驅(qū)動電路的干擾。

另由圖可見，通過中間層的大鋪銅將輔助電源的地和功率的地線相連，地線的處理干凈清晰.