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        氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市

        作者: 時間:2024-12-31 來源:快科技 收藏

        據(jù)官微消息,12月30日,(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“”)在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202412/465930.htm

        據(jù)了解,英諾賽科是一家專注于第三代半導(dǎo)體研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),擁有全球最大的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地,產(chǎn)品覆蓋晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等,可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等領(lǐng)域。

        據(jù)悉,英諾賽科此番戰(zhàn)略配售,吸引了包括意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)以及蘇州高端裝備在內(nèi)的4名基石投資者,合共認(rèn)購了1億美元的發(fā)售股份,其中意法半導(dǎo)體認(rèn)購半數(shù)。

        根據(jù)計劃,英諾賽科擬將約60%的募資資金所得款凈額用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員,計劃從截至2024年6月30日的每月12500片晶圓增加至未來五年的每月70000片晶圓。另外,募資資金所得款凈額約20%將用于研發(fā)和擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品組合,進(jìn)一步提高終端市場中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率;約10%用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò);約10%用于營運(yùn)資金及其他一般企業(yè)用途。



        關(guān)鍵詞: 英諾賽科 氮化鎵

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