12月4日，據(jù)GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國政府獲得了950萬美元（折合人民幣約6900萬元）的聯(lián)邦資助，用于推進其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導體的生產(chǎn)。

據(jù)介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項目辦公室（TAPO）提供，是美國聯(lián)邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續(xù)為其氮化鎵IP產(chǎn)品組合和可靠性測試增加新的工具、設(shè)備和原型開發(fā)能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。

據(jù)悉，自2020年以來，包括這項新資金在內(nèi)，格芯總共從美國政府獲得了8000多萬美元，用于支持研究、開發(fā)和全面制造氮化鎵芯片。其中包括2023年10月，格芯氮化鎵項目獲得了美國政府3500萬美元的資助。而在今年2月，作為芯片和科學法案的一部分，美國商務(wù)部宣布計劃向格芯提供15億美元的直接資助，用以擴大其在美國的氮化鎵晶圓廠產(chǎn)能。

業(yè)務(wù)進展方面，今年6月，格芯和BAE Systems建立了合作伙伴關(guān)系，以加強美國國家安全項目的關(guān)鍵半導體供應。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司將就增加美國半導體創(chuàng)新和制造的長期戰(zhàn)略進行合作，雙方共同目標是推進美國國內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對航空航天和國防系統(tǒng)的安全芯片及解決方案。

隨后在7月，格芯收購了Tagore Technology的氮化鎵功率產(chǎn)品組合，并在印度加爾各答創(chuàng)建了格芯加爾各答功率中心。該中心與格芯位于佛蒙特州的工廠密切配合并為其提供支持，有助于推動格芯在氮化鎵芯片制造領(lǐng)域的研發(fā)和量產(chǎn)。