近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。

鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。

而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031年間推出1000層的3D NAND閃存芯片。

鎧俠是全球知名的存儲芯片廠商，不過為應對需求低迷的市場環(huán)境，2022年10月，鎧俠宣布將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產，將晶圓生產量減少約30%。

最新消息是，鎧俠已結束了為期20個月的減產動作，并將上述兩座NAND Flash工廠的產線開工率提升至100%。此外，隨著業(yè)務好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。

除了公布最新3D NAND閃存發(fā)展藍圖外，鎧俠的IPO計劃似乎也迎來了新的進展。

據媒體援引兩位知情人士的消息報道，鎧俠計劃在未來幾天提交一份在東京證交所上市的初步申請。知情人士稱，這家芯片制造商計劃在8月提交一份完整的申請，并預計于10月底上市，不過上市時間有可能會推遲到12月。