據(jù)外媒報(bào)道，三星計(jì)劃在今年6月召開(kāi)的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計(jì)劃，并計(jì)劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到2026年。

據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計(jì)劃在2024年開(kāi)始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線(xiàn)圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時(shí)芯片面積減少5%。

報(bào)道中稱(chēng)，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來(lái)自于“Gate-All-Around（GAA）”電流控制技術(shù)，該技術(shù)能顯著降低晶體管的漏電流，提升芯片功率效率。