中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設備電源線路的負載開關以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。

實現(xiàn)具有低漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）的雙向開關需要兩個具有低RDS(ON)的MOSFET，尺寸為3.3mmí3.3mm或2mmí2mm。東芝的新產(chǎn)品采用小巧纖薄的新型封裝TCSPAG-341501（3.37mmí1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）），同時在單封裝共漏極結構中搭載電阻值為9.9mΩ（典型值）的源極-源極導通電阻（RSS(ON)）。

USB PD（USB Power Delivery）專門針對需要高功率供電的設備而開發(fā)，可以提供從15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有角色交換功能，支持電源側和接收側的互換，要求USB充電設備能夠雙向供電，以便能夠同時支持電力傳輸和電力接收。此次新產(chǎn)品就是一款支持雙向供電，表貼面積較小的N溝道共漏極MOSFET。

將該產(chǎn)品與東芝TCK42xG系列中的驅動IC相結合可構成具有防回流功能的負載開關電路或可以在先合后斷（MBB）和先斷后合（BBM）之間切換操作的電源多路復用器電路。基于這種產(chǎn)品組合，東芝于今日發(fā)布了適用于電源多路復用器電路的參考設計（使用共漏極MOSFET）。使用該參考設計有助于縮短產(chǎn)品設計與開發(fā)時間。

未來東芝將繼續(xù)擴大其產(chǎn)品線并改進相關特性，以提高設計靈活性。

適用于電源多路復用器電路的參考設計（使用共漏極MOSFET）

電源多路復用器電路簡易方框圖

新型封裝TCSPAG-341501

? 應用：

- 智能手機

- 筆記本電腦

- 平板電腦等

? 特性：

- 高源極-源極額定電壓：VSSS＝30V

- 低導通電阻：RSS(ON)＝9.9mΩ（典型值）（VGS＝10V）

- 雙向導通的共漏極連接結構

- 小巧纖薄的TCSPAG-341501封裝：3.37mmí1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）

? 主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 器件安裝在一塊FR4環(huán)氧樹脂玻璃板（25mmí27.5mm、厚度＝1.6mm，銅焊盤：18μm、407mm²）上

[2] 器件安裝在一塊FR4環(huán)氧樹脂玻璃板（25mmí27.5mm、厚度＝1.6mm，銅焊盤：70μm、687.5mm²）上