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        基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

        作者: 時(shí)間:2023-09-11 來源:大大通 收藏

        DES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源,使用完整的解決方案。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202309/450393.htm

        DES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源,使用完整的ST解決方案。

        電路設(shè)計(jì)包括前端無橋和后端LLC全橋架構(gòu)。前級提供功率因數(shù)校正(PFC)和諧波失真(THD)抑制,后記轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。

        該參考設(shè)計(jì)為高效率緊湊型解決方案,在230 VAC輸入時(shí),測量峰值效率為96.3%,低THD失真(滿載時(shí)小于5%THD)并減少了材料成本。

        外形尺寸為105 mm x 281 mm x 41 mm,功率密度高達(dá)40 W/in3。

        該電源由兩個(gè)功率級組成:一個(gè)由STM32G474RBT6 MCU 控制的無橋圖騰極PFC, 以及次級 由另一個(gè)STM32G474RBT6 MCU 控制的+同步整流(SR)。

        STDES-3KWTLCP還可以幫助用戶使用ST最新的功率器件: MOSFET、高壓MDmesh MOSFET、超結(jié)MOSFET、隔離MOS 驅(qū)動(dòng)器和VIPer系列輔助電源。

        使用STM32G474RBT6 MCU 控制的前級無橋 實(shí)現(xiàn)原理如下圖:

        圖騰柱PFC的架構(gòu)模型如下圖,四顆MOS在MCU的控制下,交替導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正的目的,其中左側(cè)兩顆,必須使用第三代寬禁帶半導(dǎo)體,如,,本案例中使用的是ST第二代 SCTW35N65G2V。

        使用STM32G474RBT6 MCU 控制的LLC + SR 實(shí)現(xiàn)原理如下圖:

        的架構(gòu)模型如下圖,初級側(cè)四顆高壓MOS 使用ST低損耗的M6系列超結(jié)MOSFET ---STW70N65DM6 ,次級側(cè)四顆低壓MOS使用 STL130N8F7, SMD 5*6mm封裝,導(dǎo)通阻抗3mR.

        后級LLC轉(zhuǎn)換部分,各主要功率器件的分布如下,結(jié)構(gòu)非常緊湊:

        12--高壓MOS STW70N65DM6

        13--諧振電感

        14--諧振電容

        15--主變壓器

        16--次級同步整流低壓MOS

        17--輸出電容

        18--MCU控制小板

        ?場景應(yīng)用圖

        ?展示板照片

        ?方案方塊圖

        ?核心技術(shù)優(yōu)勢

        ? 采用ST SIC MOS(寬禁帶), 高溫低阻,低開關(guān)損耗,低體二極管反向恢復(fù)電荷。 

        ? 主控MCU芯片ST32M474,全數(shù)字設(shè)計(jì)電源控制。 

        ? 功率密度達(dá): 40 W/in^3。 

        ? 滿負(fù)載時(shí)高功率因數(shù)&總諧波失真 THD <5% 。 

        ? 峰值浪涌電流<30A 。

        ?方案規(guī)格

        ? 輸入電壓:90~264V 

        ? 輸入電壓頻率:47~63HZ 

        ? 輸出電壓:53.5V 

        ? 輸出功率:3000W 

        ? 功率因數(shù)>0.98 @滿負(fù)載 

        ? 峰值效率 96.3%



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