5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。

4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲(chǔ)密度，方便研究團(tuán)隊(duì)克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。

報(bào)道稱，如果三星4F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。

4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說工藝難點(diǎn)頗多。不過三星認(rèn)為，與SK海力士和美光正在開發(fā)的3D DRAM相比，這種結(jié)構(gòu)更容易實(shí)現(xiàn)。

The Elec報(bào)道指出，三星電子的目標(biāo)是將4F2應(yīng)用于10納米或以下節(jié)點(diǎn)的DRAM制程，因?yàn)橐阅壳暗募夹g(shù)預(yù)計(jì)會(huì)面臨線寬縮減的極限。