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        楷登電子成功流片基于臺積電N3E工藝的16G UCIe先進(jìn)封裝IP

        作者: 時間:2023-04-28 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

        近日,(Cadence)宣布基于3nm()工藝技術(shù)的Cadence? 16G ? 2.5D成功流片。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202304/446111.htm

        采用3D Fabric? CoWoS-S硅中介層技術(shù)實現(xiàn),可提供超高的帶寬密度、高效的低功耗性能和卓越的低延遲,非常適合需要極高算力的應(yīng)用。

        據(jù)悉,目前正與許多客戶合作,來自測試芯片流片的已開始發(fā)貨并可供使用。這個預(yù)先驗證的解決方案可以實現(xiàn)快速集成,為客戶節(jié)省時間和精力。




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