據(jù)三星半導(dǎo)體消息，三星預(yù)計，在未來十年單顆SSD的容量可達(dá)1PB（一千萬億字節(jié)）。

三星表示，基于3D制造工藝的NAND閃存產(chǎn)品的數(shù)據(jù)存儲能力正在不斷提高，這種演變發(fā)生在物理縮放技術(shù)、邏輯縮放技術(shù)、32DIE堆疊封裝三個領(lǐng)域。

其中，物理縮放技術(shù)包括三種技術(shù)，分別為橫向/垂直收縮（一種減少每個存儲單元大小的方法）、垂直堆疊技術(shù)（一種添加更多WL堆棧的方法，從而增加內(nèi)存單元的數(shù)量）、電池在外圍技術(shù)（一種減少硅面積的方法，把外圍電路放在存儲單元下面），用于提高性能和降低成本，以響應(yīng)應(yīng)用程序和系統(tǒng)處理需求的變化。

邏輯縮放技術(shù)，例如QLC技術(shù)——涉及到尋找在單個單元中存儲更多比特的方法，以便SSD可以保存更多的數(shù)據(jù)，同時保持輕便和緊湊。QLC技術(shù)可以使每個設(shè)備每個單元存儲4位，相比TLC存儲密度提高33%。

封裝技術(shù)是開發(fā)高容量產(chǎn)品的關(guān)鍵，三星已經(jīng)有能力批量生產(chǎn)32Die堆疊封裝（32 die-stack packaging）。

三星通過上述3項技術(shù)，不斷探索高容量SSD，于2016年推出16TB的SSD，2017年推出32TB的SSD，2019年年末開發(fā)出64TB SSD，2021年開發(fā)出基于QLC的128TB原型SSD。

三星于2018年參與了智能SSD的的共同開發(fā)，并于2022年開始量產(chǎn)，2023年三星正與合作伙伴一起準(zhǔn)備第二代智能SSD。

三星還預(yù)計，到2015年連接設(shè)備數(shù)將達(dá)到181ZB，這種爆發(fā)式的數(shù)據(jù)增長，需要更多、更大的數(shù)據(jù)中心。