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        安森美開(kāi)發(fā)IGBT FS7開(kāi)關(guān)平臺(tái),性能領(lǐng)先,應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)

        —— 全新1200 V器件提供領(lǐng)先市場(chǎng)的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能
        作者: 時(shí)間:2023-03-21 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        2023 年 3 月 21日領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平,最大程度降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用能效,將主要用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車充電電源轉(zhuǎn)換。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/202303/444704.htm

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        新的1200V溝槽型場(chǎng)截止(FS7)IGBT在高開(kāi)關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開(kāi)關(guān)損耗可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率,從而減少磁性元件的尺寸,提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。對(duì)于高功率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,FS7器件的正溫度系數(shù)使其能夠輕松實(shí)現(xiàn)并聯(lián)運(yùn)行。

         

        高級(jí)副總裁兼電源方案部先進(jìn)電源分部總經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō):“由于能效在所有高開(kāi)關(guān)頻率的能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中極為關(guān)鍵,所以我們專注于降低關(guān)斷損耗,這新系列的IGBT提供極佳的開(kāi)關(guān)性能,其業(yè)界領(lǐng)先的性能使設(shè)計(jì)人員能夠在要求非常高的高功率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中滿足最具挑戰(zhàn)的能效要求。

         

        FS7器件包括高速(S系列)和中速(R系列)版本。所有器件都含一個(gè)優(yōu)化的二極管,實(shí)現(xiàn)低VF,減少開(kāi)關(guān)損耗,可在高達(dá)175結(jié)溫(TJ)下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的開(kāi)關(guān)性能領(lǐng)先市場(chǎng)現(xiàn)有1200V IGBT。經(jīng)7倍額定電流的測(cè)試,這種高可靠性的IGBT產(chǎn)品展現(xiàn)出出類拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對(duì)以導(dǎo)通損耗為主的中速開(kāi)關(guān)應(yīng)用如電機(jī)控制和固態(tài)繼電器進(jìn)行了優(yōu)化。 FGY100T120RWD100 A時(shí)VCESAT低至1.45V,比前一代器件降低了0.4V。

         

        FS7器件可采用TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L等封裝,也可提供裸片,為設(shè)計(jì)人員提供靈活性和設(shè)計(jì)備選配置。



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