憑借數(shù)十年的創(chuàng)新技術(shù)經(jīng)驗以及可靠高效的下一代功率半導體，

安森美將為能源基礎(chǔ)設施應用實現(xiàn)更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開發(fā)時間 

中國上海，2023年2月2日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟宣布供應安森美（onsemi）EliteSiC系列高度優(yōu)化的最新碳化硅（SiC）產(chǎn)品，適用于能源基礎(chǔ)設施應用。與同類競品相比，這些新器件在現(xiàn)實條件下實現(xiàn)了更低的開關(guān)損耗，能夠滿足下一代能源基礎(chǔ)設施系統(tǒng)的更高性能要求。

隨著脫碳轉(zhuǎn)型的加速，全球能源需求逐步轉(zhuǎn)向部署更多能源基礎(chǔ)設施系統(tǒng)，包括直流快速充電器（DCFC）、太陽能逆變器和電池儲能系統(tǒng)（BESS）。 

由于碳化硅的功率等級對于降低功率損耗、提高功率密度及降低冷卻成本至關(guān)重要，因此，使用具有基礎(chǔ)設施級可靠性且超堅固的SiC功率器件是設計出可靠耐用的能源基礎(chǔ)設施系統(tǒng)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。 

e絡盟可現(xiàn)貨供應安森美EliteSiC系列器件，典型應用包括UPS、DC/DC轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、太陽能逆變器、電動汽車充電站和工業(yè)電源系統(tǒng)等，且這些器件均無鉛鹵，符合RoHS標準。其中主要包括： 

·       EliteSiC單N溝道碳化硅器件，Typ. RDS（導通）= 80 m、超低柵極電荷（Typ. QG（tot）= 56 nC）、低有效輸出電容（Typ. Coss = 79 pF）、TJ = 175°C，且100%經(jīng)雪崩測試

·       EliteSiC NXH006P120MNF2 MOSFET功率模塊，具有1個6 m /1200 V SiC MOSFET半橋和1個熱敏電阻，采用F2封裝，可選帶或不帶預涂熱界面材料（TIM），以及焊接或壓合式插針選項。 

Farnell及e絡盟晶體管與WBG全球產(chǎn)品部主管Adrian Cotterill表示：“新增的EliteSiC系列器件是對e絡盟產(chǎn)品陣容的又一關(guān)鍵補充，便于工程師使用安森美的領(lǐng)先組件進行能源基礎(chǔ)設施系統(tǒng)開發(fā)，不僅品質(zhì)最高且性能是同類中的佼佼者。這些經(jīng)過高度優(yōu)化的全新SiC產(chǎn)品可滿足能源基礎(chǔ)設施終端應用的最新性能要求。” 

安森美持續(xù)致力于推動顛覆性創(chuàng)新，以打造更美好的未來。公司專注于汽車和工業(yè)終端市場，不斷加速實現(xiàn)大趨勢的變革，包括汽車電氣化和汽車安全、可持續(xù)能源網(wǎng)、工業(yè)自動化以及5G和云基礎(chǔ)設施等。憑借高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合，安森美打造出了智能電源和傳感技術(shù)，以助力解決全球最復雜的挑戰(zhàn)和難題，引領(lǐng)創(chuàng)建一個更安全、更清潔、更智能的世界。