國(guó)產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步：長(zhǎng)江存儲(chǔ)或跳過(guò)192層閃存 切入232層
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2016年成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，于2017年通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作的方式，設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功，推進(jìn)到128層3D堆疊。
本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/202206/435167.htm在閃存領(lǐng)域，通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。DT報(bào)道稱，業(yè)內(nèi)人士給出消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過(guò)192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。
根據(jù)此前韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)OERI的一份報(bào)告，其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)則要到2024年，現(xiàn)在來(lái)看，它們低估了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)儲(chǔ)備。此前傳出長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打入蘋果供應(yīng)鏈，為iPhone等產(chǎn)品供貨閃存的說(shuō)法，倘若最終實(shí)現(xiàn)，那么無(wú)疑將有著打破產(chǎn)業(yè)格局的動(dòng)能。
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