國(guó)產(chǎn)技術(shù)進(jìn)步：長(zhǎng)江存儲(chǔ)或跳過(guò)192層閃存 切入232層

• 2016年成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，于2017年通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作的方式，設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功，推進(jìn)到128層3D堆疊。在閃存領(lǐng)域，通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。DT報(bào)道稱(chēng)，業(yè)內(nèi)人士給出消息稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過(guò)192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。根據(jù)此前韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)OERI的一份報(bào)告，其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存，
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