據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布3nm工藝技術(shù)已正式發(fā)流片。據(jù)報(bào)道，三星的3mm工藝采用GAA架構(gòu)，性能優(yōu)于臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)。

　　報(bào)告稱，三星在3納米工藝中的流片進(jìn)展是與新思科技合作完成的，旨在加快為GAA架構(gòu)的生產(chǎn)工藝提供高度優(yōu)化的參考方法。三星的3nm工藝采用GAA結(jié)構(gòu)，而不是臺(tái)積電或英特爾采用的FinFET結(jié)構(gòu)。因此，三星采用新思科技的Fusion Design Platform。

　　在技術(shù)性能方面，基于GAA架構(gòu)的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性，可以滿足一定柵極寬度的要求。這主要表現(xiàn)在相同尺寸的結(jié)構(gòu)下，GAA的溝道控制能力增強(qiáng)，為尺寸的進(jìn)一步微縮提供了可能。