增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進(jìn)氮化鎵器件的應(yīng)用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器（硬開關(guān)和諧振式）和面向全自動(dòng)駕駛汽車、機(jī)械人及無人機(jī)的激光雷達(dá)系統(tǒng)。

EPC2218（3.2 mΩ、231 A_pulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 A_pulsed）比前代eGaN FET的導(dǎo)通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準(zhǔn)硅器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。

EPC2204的導(dǎo)通電阻降低了25％，但尺寸卻縮小了3倍。 與基準(zhǔn)硅MOSFET器件相比，其柵極電荷（Q_G）小超過50%，并且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復(fù)電荷（Q_RR），從而使得D類音頻放大器可以實(shí)現(xiàn)更低的失真和更高效的同步整流器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

EPC首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow表示：“大家預(yù)計(jì)最新一代且性能優(yōu)越的100 V eGaN FET的價(jià)格會更高。但這些最先進(jìn)的100 V晶體管的價(jià)格與等效老化器件相近。我們?yōu)樵O(shè)計(jì)工程師提供的氮化鎵器件的優(yōu)勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高且成本相近。氮化鎵器件正在加速替代功率MOSFET器件?！?/p>

100 V基準(zhǔn)硅場效應(yīng)晶體管與100 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管的性能比較

產(chǎn)品價(jià)格和供貨

下表列出了產(chǎn)品及相關(guān)開發(fā)板和參考設(shè)計(jì)板的價(jià)格。