如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫入一次呢?

將參數(shù)存儲到固定的地址，則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數(shù)修改時，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎?

前段時間學(xué)習(xí)Msos，看到其中使用的參數(shù)存儲的方法設(shè)計的很好，它將參數(shù)的變量地址與值，一同存儲入Flash中。出彩之處是使用參數(shù)的變量地址來標(biāo)記不同的變量。

一、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)

這種存儲方式使用兩個數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)：

typedef struct

{

uint Address; //參數(shù)變量的地址

uint Data; //參數(shù)變量的值

}CellStruct;

要存儲某個變量，需要將這個變量的地址和它的值一同存儲到存儲區(qū)。這種存儲方式的核心就是這個數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這樣就可以使用*((uint *)(Address)) = Data 直接將存儲值賦值給對應(yīng)的變量。簡單的說就是根據(jù)地址值來標(biāo)記各個不同的參數(shù)。

2.存儲區(qū)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)

typedef struct {

二、代碼解析

這種存儲方式的使用兩個函數(shù)：

讀取存儲區(qū)中的變量值并更新變量的值

變量的存儲函數(shù)

2.1 參數(shù)的讀取

流程圖如上，主要步驟如下：

根據(jù)Flash中存寫的變量地址，更新變量的值;

將Flash中存寫的地址值存入臨時數(shù)組中，并根據(jù)地址值判斷是否存在重復(fù)存儲的無效數(shù)據(jù)，并將無效數(shù)組失效;

清空Flash存儲區(qū)，將臨時數(shù)組中有效的變量重新存入Flash中。

通過這些步驟，將存儲區(qū)中存儲的變量讀出，并將存儲區(qū)中的重復(fù)的無效數(shù)據(jù)清除。下面是源代碼：

#define pUint(address) *((uint *)(address)) #define PageSize 1024 //Stm32F103R8T6 1Page=1024Byte #define PaRAMeterAddress (FLASH_BASE + (63 * 1024)) #define ParameterSpace PageSize / 4 / 2 static void ReadAllParameter(void) { bool CleanFlag; int i, j;

2.2 參數(shù)的寫入

參數(shù)的寫入就很簡單了，根據(jù)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中的寫入點，將變量的地址與值寫入Flash中。

static bool WriteParameter(void * dataPointer) {

2.3 使用方法

使用方法：

每次上電啟動時，調(diào)用讀取全部變量的函數(shù);

修改某個參數(shù)的時候，調(diào)用寫參數(shù)函數(shù);

三、注意事項

在讀取參數(shù)時，需要在RAM中建立一個ParameterSpace大小的數(shù)組，如果這個值太大，會超過棧的大小，使得內(nèi)存溢出。因此存儲區(qū)不能開辟的太大。

四、總結(jié)

這種方式使用簡便，尤其是在更新變量值時，根據(jù)存儲的變量地址更新相應(yīng)的值。其實其本質(zhì)與我們使用變量名來標(biāo)記不同的變量是一樣的。不過也有缺點：

首先其同時存儲變量的地址與變量的值，相當(dāng)于多使用一倍的存儲空間;

像上面的注意事項中說的，存儲區(qū)不能開辟的過大，否則會使臨時數(shù)組超過棧的大小。