總投資240億美元的國家存儲器基地項(xiàng)目(一期)的一號生產(chǎn)及動力廠房9月28日實(shí)現(xiàn)提前封頂，預(yù)計(jì)2018年投入使用。全面建成后，該項(xiàng)目年產(chǎn)值將超過100億美元。

　　國家存儲器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，一期工程于2016年12月30日正式開工建設(shè)，規(guī)劃3座全球單座潔凈面積最大的廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。

　　國家存儲器基地項(xiàng)目是新中國成立以來湖北省單體投資最大的高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，項(xiàng)目一期達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能30萬片12寸晶圓，年產(chǎn)值將超過100億美元，到2030年月產(chǎn)能提升至100萬片。

　　據(jù)介紹，存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝，同時(shí)也是中國進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。國家存儲器項(xiàng)目落戶武漢，填補(bǔ)了此前國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的一塊空白。

　　目前，武漢東湖高新區(qū)已為國家存儲器基地項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)1100畝配套產(chǎn)業(yè)園區(qū)和1500畝國際社區(qū)用地，正在加快引進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈頂級配套企業(yè)和國際化人才。同時(shí)加快建設(shè)武漢國際微電子學(xué)院，組建長江芯片研究院、國家先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、存儲芯片聯(lián)盟、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。