這個讓半導體巨頭紛紛投入的技術就是被稱為新世代存儲器的MRAM和RRAM。

　　MRAM和RRAM的特性為何，與DRAM、NAND(快閃存儲器)相比，又有什么樣的效能與成本優(yōu)勢?讓我們從MRAM和RRAM兩項技術看起。

　　什么是新世代存儲器?

　　MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲器)是一種非揮發(fā)性存儲器技術，也就是當電流關掉，所儲存的資料并不會消失的存儲器。

　　它自1990年代開始發(fā)展，這項技術在學理上的存取速度接近SRAM，具快閃存儲器的非揮發(fā)性特性，在容量密度及使用壽命上也不輸給DRAM，平均能耗遠低于DRAM，未來極具成為真正通用型存儲器潛力。

　　而RRAM(Resistive random-access memory，可變電阻式存儲器)同樣是一種新型的非揮發(fā)性存儲器，其優(yōu)點在于消耗電力較NAND低，且寫入資訊速度比NAND快閃存儲器快了1萬倍。

　　從階層式存儲器的金字塔圖來看，SRAM位于金字塔尖端，為最高端、速度最快，成本也最高的產品。

　　其次為主存儲器的DRAM，MRAM僅次于DRAM，而RRAM則緊接其后，在RRAM之下的是NAND，從此圖可以看出MRAM與RRAM的市場定位也正是介于DRAM與NAND之間?！?/p>

　　高速運算、數(shù)據中心、物聯(lián)網激發(fā)新世代存儲器高度需求

　　事實上，MRAM與RRAM技術并非近年來的產物，早在1990年代，就有廠商開始投入研發(fā)，而促使新世代存儲器發(fā)展在近年來露出曙光的原因，正是進入高速運算時代，存儲器技術演進速度出現(xiàn)跟不上系統(tǒng)效能演進速度所導致。

　　隨著數(shù)據的產生速度不斷加快，對存儲器的需求也飛速成長。從對DRAM的高速運算需求來看，在高速運算下，存儲器(DRAM)與CPU間的頻寬，漸成為運算瓶頸，為解決上述瓶頸，HBM、TSV、offload運算加速器成為產業(yè)研發(fā)的重心。

　　此外，DRAM也面臨了摩爾定律發(fā)展下去的限制，說明了半導體巨擘們要積極投入新世代存儲器研發(fā)生產的原因。

　　另一方面，SSD數(shù)據中心存儲的高速IOPS需求也是業(yè)界的一大焦點，除了資料中心的高速IOPS需求外，信賴度、能耗也是重要的指標，NAND本身走到TLC雖然在價格上有優(yōu)勢，但卻面臨產品信賴度惡化的狀況，目前以Page式的寫入方式，讓寫入成為IOPS的主要瓶頸。

　　此外，在數(shù)據傳輸速度要求越來越高下，為了保證數(shù)據的正確性，SSD Controller須內建高速的Buffer，然而不論是用DRAM或是SRAM均需要額外提供電源以保障供電異常下的正常發(fā)展。

　　在這個前提下，新世代存儲器也成為產業(yè)寄望能改善NAND問題的關鍵技術。

　　除了高速運算與數(shù)據中心的儲存需求以外，物聯(lián)網物端需要的非揮發(fā)性存儲器，也就是即時資料儲存需求，牽涉到物聯(lián)網需要低能耗、數(shù)據耐久度高、每次寫入或存儲的資料單位小等層面。

　　而這三項特色導致NAND的不合適，目前更多的解決方案是采用嵌入式存儲器(Embedded Memory)。

　　不過，就目前嵌入式存儲器的發(fā)展來看，其制作流程、占用面積均仍有持續(xù)進步的空間，因此也成為新世代存儲器技術的另一個切入的面向。

　　嵌入式產品效能更勝一籌，臺積電也沒缺席

　　盡管新世代存儲器未來有望取代部分DRAM與NAND的市場，而成為業(yè)界關注的明日之星，然而，臺積電重新跨進存儲器產業(yè)，他著眼的并非將存儲器做為單獨的產品販售，而是鎖定嵌入式存儲器市場。

　　臺積電鎖定的嵌入式存儲器產品，可以說是新世代存儲器另一個改變產業(yè)形貌的重要路線。

　　從目前的應用上來看，在工業(yè)、車用MCU或是物聯(lián)網IC的應用中，新世代存儲器有機會透過其能耗表現(xiàn)佳、占用面積小、發(fā)揮發(fā)性、讀寫速度快、操作電壓低、增加的制程復雜度低等優(yōu)勢，進一步增加其在嵌入式市場的滲透率。

　　此外，嵌入式產品在效能表現(xiàn)上，也可望高于過去的off-chip產品，對于像是臺積電、聯(lián)電、格羅方德等晶圓代工廠來說，提供嵌入式存儲器產品，除能擴張產品線與提供客戶更多的支持外，并能做為未來邏輯IC與存儲器在系統(tǒng)架構上進一步融合的前置布局。

　　然而，對于三星等既有存儲器廠商而言，新世代存儲器的發(fā)展無疑帶來發(fā)展的契機，但能預期的是，未來的競爭態(tài)勢也將更為激烈。