2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。

　　TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產品前，也將持續(xù)缺貨，價格有望穩(wěn)健走揚，使NAND Flash原廠營運表現持續(xù)往上。

　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，在今年新增產能及制程轉換同時進行的情況下，業(yè)者自2016年第二季起加速3D-NAND的制程轉進，整體3D-NAND產出比重在年底前達到30%，而自明年起在整體投片產能僅年增6%的成長幅度下，多數業(yè)者將開始降低2D-NAND的供貨來達到提升3D-NAND產能的目標，因此，DRAMeXchange預估，自2017年第一季起2D-NAND的供給量滑落的速度將加快，至第三季占整體NAND出貨比重將滑落至50%以下。

　　然而，在3D-NAND的進展上，64層堆疊的3D-NAND Flash在良率與eMMC/UFS、用戶級SSD、企業(yè)級SSD等OEM產品的導入上，挑戰(zhàn)性皆增加，因此明年3D-NAND在64層堆疊的產品成熟前也將維持供應吃緊的狀況，最快要到2017年第三季起才有機會成熟量產出貨。

　　從需求端來看，由于智慧型手機成長放緩、平板電腦出貨持續(xù)衰退，相關行動式 NAND的需求成長動能將改由平均搭載量(Content per box)來驅動，而在新款iPhone出貨主流為128GB下，其他智慧型手機品牌也加速提升eMMC/UFS的容量來提高產品競爭力。

　　DRAMeXchange預估，2017年第四季全球筆電出貨的固態(tài)硬碟滲透率將超越50%，且企業(yè)級SSD的需求也隨著伺服器/資料中心的需求強勁成長而快速上揚，再加上固態(tài)硬碟的平均搭載量也持續(xù)增加，使得2017年整體固態(tài)硬碟需求成長率將高達60%，所消耗的Flash比重也將正式站上40%大關，為各項NAND Flash終端需求中表現最強勁的應用。