負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容.負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同.標(biāo)稱頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同.因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率,一個是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振.所以,標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負(fù)載電容一致,不能冒然互換,否則會造成電器工作不正常.把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能的裝置叫做負(fù)載.

晶振負(fù)載諧振頻率測量方法:

1. 物理負(fù)載電容法

　　如IEC 444標(biāo)準(zhǔn)所述,該方法的基本概念是用一個實(shí)際電容與晶振串聯(lián),然后在指定負(fù)載電容下測量晶振,并對兩者同時進(jìn)行測量.這與計算法相比是一個很大的改進(jìn),因為沒有過多估計,而且網(wǎng)絡(luò)分析儀是在相對較低的阻抗上測量負(fù)載諧振頻率.

　　2. 計算法

　　根據(jù)IEC 444規(guī)定,被測器件(DUT)在約±45°對其動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測量,負(fù)載諧振頻率根據(jù)±45°數(shù)據(jù)“計算”得到.

　　如果已經(jīng)知道被測器件是一個線性晶振,則可以使用這個方法來測量;但在大多數(shù)場合下,需要先有一個測試方法來告訴你它是否是線性的,所以計算法不實(shí)用,除非你在測試前已經(jīng)知道晶振是線性的.　

從晶振測量角度來看,計算法不適用于測試非線性晶振,因為測量精確度取決于晶振特性,而它的差異很大,如果存在其它適用的測試手段就應(yīng)該放棄使用這種方法.