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        2016年臺積電三星英特爾資本支出預(yù)計增5.4%

        作者: 時間:2016-02-04 來源:eettaiwan 收藏

          由于終端市場需求趨緩,在供給提升速度大于需求成長速度下,TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預(yù)估2016年全球晶圓代工產(chǎn)值年成長僅2.1%,半導(dǎo)體大廠的競爭將更加激烈。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/201602/286735.htm

          估計2016年三大半導(dǎo)體制造大廠資本支出金額預(yù)期較2015年成長5.4%,其中,英特爾(Intel)調(diào)升30%達95億美元、(TSMC)調(diào)升17%達95億美元,(Samsung)則逆勢調(diào)降15%,來到115億美元。拓墣表示,今年半導(dǎo)體大廠的資本支出預(yù)計至2017年才有機會對營收產(chǎn)生貢獻。

          2016年有三大投資重點

          拓墣表示,在上述半導(dǎo)體三巨頭,中是唯一的純晶圓代工廠,與客戶無直接競爭關(guān)系,可專注于制程技術(shù)的開發(fā)。2016年臺積電資本支出約70%用于先進制程的開發(fā),其中大部分用在10奈米制程技術(shù),可見臺積電對10奈米制程研發(fā)的重視。

          臺積電資本支出的10%則將持續(xù)投入InFO技術(shù)的開發(fā);InFO技術(shù)有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩(wěn)定度高的優(yōu)勢,已有少數(shù)大客戶開始投單,預(yù)期未來將有更多客戶陸續(xù)投入。為了就近服務(wù)廣大的中國市場,臺積電規(guī)劃30億美元用于中國南京12寸廠的建置,預(yù)期在2018年投產(chǎn)。今年南京廠計畫先投入5億美元,2017與2018年將增加投資力道。

          

        2016年臺積電三星英特爾資本支出預(yù)計增5.4%

         

          三大半導(dǎo)體廠資本支出

          2016年以半導(dǎo)體事業(yè)為重心

          智慧型手機是最重要的業(yè)務(wù),在終端市場需求趨緩、手機差異化縮小的情況下,三星受到蘋果(Apple)與中國品牌的激烈競爭。根據(jù)三星財報顯示,2015年營收年衰退2.6%,凈利下滑20.6%。相較智慧型手機,去年三星半導(dǎo)體營收年成長20%、記憶體年成長17%,LSI業(yè)務(wù)年成長則約27.7%,表現(xiàn)十分亮眼。

          拓墣指出,2016年三星的智慧型手機業(yè)務(wù)拓展仍不樂觀,除加速開發(fā)創(chuàng)新業(yè)務(wù),將更加重視晶圓代工業(yè)務(wù),采取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本支出中,LSI業(yè)務(wù)會維持與2015年35億美元的相同水準(zhǔn)。

          英特爾擴展記憶體相關(guān)業(yè)務(wù)

          英特爾雖然在14/16奈米制程技術(shù)開發(fā)上領(lǐng)先,但臺積電與三星若在10奈米的技術(shù)上趕超,將使英特爾在CPU產(chǎn)品上面臨強大的競爭壓力,嚴(yán)重挑戰(zhàn)英特爾自1995年來的領(lǐng)先地位。2016年英特爾將持續(xù)擴大資本支出以維持制程領(lǐng)先,相關(guān)資本支出約達80億美元。

          在資料中心的競爭中,2015年英特爾與美光(Micron)聯(lián)合發(fā)表包含3D-NAND與Xpoint等用于記憶體的技術(shù),此外更宣布投資25億美元把大連廠打造成記憶體制造廠。估計2016年英特爾的資本支出中約有15億美元將投資在記憶體相關(guān)業(yè)務(wù)。



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