基于狀態(tài)空間法的非理想Boost電路開環(huán)建模
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3 仿真及測試結(jié)果
選取Vg=12 V，L=330μH，C=47μF，RL=12 Ω開關(guān)頻率300 kHz，實測rC=50．1 mΩ，rL=53．2 mΩ。采用SG3525芯片產(chǎn)生PWM脈沖驅(qū)動MOSFET，占空比調(diào)節(jié)范圍0～50％。選取幾個典型占空比進(jìn)行仿真，仿真得到的輸出電壓波形如圖4和圖5所示。本文引用地址：http://www.antipu.com.cn/article/176081.htm
在不同占空比下輸出電壓的對比關(guān)系如表1所示。
表1中U1為狀態(tài)空間法仿真輸出電壓值，U2為電路仿真輸出電壓有效值，U3為實測電壓有效值。
4 結(jié)語
本文應(yīng)用狀態(tài)空間平均法對電流連續(xù)模式下的非理想Boost變換器進(jìn)行了開環(huán)狀態(tài)下的建模和仿真。將開關(guān)函數(shù)引入到狀態(tài)空間模型中，使變換器不同工作狀態(tài)下的狀態(tài)方程具有統(tǒng)一的形式，且使?fàn)顟B(tài)方程的物理意義更加明確。從電路模型仿真和狀態(tài)空間法仿真結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，在滿足低頻假設(shè)，小紋波假設(shè)和小信號假設(shè)的前提下，應(yīng)用狀態(tài)空間平均法的仿真結(jié)果與電路模型的仿真結(jié)果具有一致性，驗證了建模方法的正確性，對變換器的設(shè)計有一定指導(dǎo)意義。
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