一、實(shí)驗(yàn)目的
1、學(xué)習(xí)片外存貯器擴(kuò)展方法。
2、學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)存貯器不同的讀寫(xiě)方法。
3、學(xué)習(xí)片外程序存貯器的讀方法。
二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
1.實(shí)驗(yàn)原理圖：

2、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
（1）使用一片2764EPROM，作為片外擴(kuò)展的程序存貯器，對(duì)其進(jìn)行讀。
（2）使用一片6264RAM，作為片外擴(kuò)展的數(shù)據(jù)存貯器，對(duì)其進(jìn)行讀寫(xiě)(使用鍵盤(pán)監(jiān)控命令和程序運(yùn)行兩種方法)。
3、實(shí)驗(yàn)說(shuō)明
（1）在使用鍵盤(pán)監(jiān)控命令讀片外擴(kuò)展的程序存貯器2764中內(nèi)容時(shí)，由于本系統(tǒng)中該程序存貯器作為用戶目標(biāo)系統(tǒng)的程序存貯器，因此DVCC系統(tǒng)必須處于仿真2狀態(tài)，即“H.....”態(tài)，用MEM鍵即可讀出。
（2）在使用鍵盤(pán)監(jiān)控命令讀寫(xiě)片外擴(kuò)展的數(shù)據(jù)存貯器6264中的內(nèi)容時(shí)，由于本系統(tǒng)中該數(shù)據(jù)存貯器作為用戶目標(biāo)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存貯器，因此DVCC系統(tǒng)處于仿真1態(tài)(“P.....”態(tài))或仿真2態(tài)(“H.....”態(tài))，用ODRW鍵即可讀寫(xiě)。
（3）讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的選用。
本實(shí)驗(yàn)采用的是55H(0101，0101)與AAH(1010，1010)，一般采用這兩個(gè)數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)操作就可查出數(shù)據(jù)總線的短路、斷路等，在實(shí)驗(yàn)調(diào)試用戶電路時(shí)非常有效。
（4）在仿真1態(tài)即“P.....”狀態(tài)下，編寫(xiě)程序?qū)ζ鈹U(kuò)展的數(shù)據(jù)存貯器進(jìn)行讀寫(xiě)，若L1燈閃動(dòng)說(shuō)明RAM讀寫(xiě)正常。
三、程序
程序清單：
ORG 0C80H
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
MOV A,#55H
RAM1: MOV R7,#0FFH
RAM2: MOVX @DPTR,A
CLR P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM2
DJNZ R6,RAM1
MOV DPTR,#8000H
MOV R6,#0FH
RAM3: MOV R7,#0FFH
RAM4: MOVX A,@DPTR
CJNE A,#55H,RAM6
SETB P1.0
INC DPTR
DJNZ R7,RAM4
DJNZ R6,RAM3
RAM5: CLR P1.0
CALL DELAY
SETB P1.0
CALL DELAY
SJMP RAM5
DELAY: MOV R5,#0FFH
DELAY1: MOV R4,#0FFH
DJNZ R4,$
DJNZ R5,DELAY1
RET
RAM6: SETB P1.0
SJMP RAM6
END
四、實(shí)驗(yàn)步驟
1、片外擴(kuò)展程序存貯器的讀。
(1)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS2區(qū)XD0—XD7，同樣用排線將A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12。
(2)PGM插孔連到+5V插孔。
(3)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
(4)OE插孔連到BUS3區(qū)XPSEN插孔。
(5)在DVCC系統(tǒng)處于“P”狀態(tài)下，按F1鍵進(jìn)入仿真2態(tài)(“H.....”狀態(tài))。
(6)輸入四位程序存貯器地址8000后按MEM鍵讀出2764中的內(nèi)容。
2、片外擴(kuò)展數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(xiě)(用鍵盤(pán)監(jiān)控命令)
(1)取出RAM/EPROM區(qū)中的實(shí)驗(yàn)監(jiān)控，再插上數(shù)據(jù)存貯器6264。
(2)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS1區(qū)XD0—XD7，A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12。
(3)WE插孔與BUS3區(qū)XWR相連。
(4)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
(5)OE插孔連到BUS3區(qū)XRD插孔。
(6)CS2插孔與+5V插孔相連。
(7)在DVCC系統(tǒng)處于“P”狀態(tài)下，按F2鍵進(jìn)入仿真1態(tài)(即“P.....”)或按F1鍵進(jìn)入仿真1態(tài)(即“P.....”)。
(8)輸入四位地址8000后按ODRW鍵可讀寫(xiě)6264中的內(nèi)容。
3、片外數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(xiě)(用程序)
步驟同上①—⑥。
(7)按框圖編制程序，在上位機(jī)上進(jìn)行編譯，鏈接形成Hex(或ABS)最終目標(biāo)文件，然后傳送到DVCC實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)仿真RAM區(qū)中。
(8)在“P”狀態(tài)下，按F2鍵，進(jìn)入仿真1態(tài)(“P.....”)，從起始地址0C80H開(kāi)始連續(xù)運(yùn)行程序。對(duì)6264進(jìn)行讀寫(xiě)。若L1燈閃動(dòng)，表示6264 RAM讀寫(xiě)正常。