刻蝕即通過物理或化學的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法，分別為干法刻蝕和濕法刻蝕，它們各有優(yōu)缺點。但對于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復性等方面來說，干法刻蝕居主導地位。

對于SOl波導(尤其是矩形單模波導)或者光子晶體的制作來說，由于其波導尺寸極小(波長量級)，在波導壁也具有較多光場分布，這時刻蝕工藝對波導傳輸損耗的影響就相當大了，所以這種小尺寸波導的刻蝕工藝需要嚴格控制其側(cè)壁粗糙度，使其盡量光滑，以使其光損耗盡量減小。減小波導側(cè)壁粗糙度的具體方法可參考波導損耗一節(jié)。

濕法刻蝕雖然能保證波導側(cè)壁比較光滑，但其條寬控制較難，尤其是在波長量級的尺寸上。所以這種方法很少采用。

另外，刻蝕工藝對波導寬度的影響也很重要，理由同光刻。