三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵，今天又宣布已經批量投產全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經成了潮流，處理器、內存什么的都要堆起來。

　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內部采用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。

　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm NAND閃存的兩倍。Tb(128GB)級別的閃存芯片指日可待。

　　早在2006年，三星就研發(fā)了CTF技術。在這種結構的NAND閃存中，電荷被臨時存放在氮化硅(SiN)材料制成的非導電層上，而不是用浮動柵極阻斷相鄰單元的干擾?，F在，三星又成功把這種結構推向了三維層面。

　　此外，三星自己研發(fā)的垂直互連工藝可以將最多24個單元層堆疊在一起，并且使用特殊的蝕刻技術從最高層到最底層打孔，實現各個層的電子互連。

　　三星還驕傲地披露，經過十多年的研發(fā)，他們已經在3D存儲技術上擁有300多項專利。

　　三星的V-NAND閃存廣泛適用于消費電子和企業(yè)級應用，包括嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤。