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        flash接口電路的實(shí)現(xiàn)

        作者: 時(shí)間:2011-06-01 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        0引言

          我們?cè)谶M(jìn)行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中,根據(jù)需求,要設(shè)計(jì)出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng),而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)包含硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)兩個(gè)部分,并且這兩部分設(shè)計(jì)是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的,嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)經(jīng)常需要在硬件和軟件設(shè)計(jì)之間進(jìn)行權(quán)衡與折中。因此,這就要求嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)者具有較深厚的硬件和軟件基礎(chǔ),并具有熟練應(yīng)用的能力。在整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中,硬件設(shè)計(jì)是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)和核心,而各功能部件在整個(gè)設(shè)計(jì)中的調(diào)試又是該環(huán)節(jié)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。本文詳細(xì)介紹嵌入式系統(tǒng)Flash存儲(chǔ)器的的調(diào)試。

          1 Flash存儲(chǔ)器的引腳信號(hào)及各項(xiàng)特性

          1.1 Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)

          Flash存儲(chǔ)器是一種可在系統(tǒng)(In-System)中進(jìn)行電擦寫(xiě),掉電后信息不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器。它具有低功耗、大容量、擦寫(xiě)速度快、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編程(燒寫(xiě))、擦除等特點(diǎn),并且可由內(nèi)部嵌入算法完成對(duì)芯片的操作,因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。作為一種非易失性存儲(chǔ)器,F(xiàn)lash在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。常用的Flash為8位或16位數(shù)據(jù)寬度,編程電壓為單3.3V。主要有ATMEL、AMD、HYUNDAI等生產(chǎn)廠商,他們生產(chǎn)的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式,可通用。

          1.2以HY57V641620為例的SDRAM接口電路的基本特性

          本文以Flash存儲(chǔ)器HY29LV160為例,簡(jiǎn)要描述一下Flash存儲(chǔ)器的基本特性:

          HY29LV160的單片存儲(chǔ)容量為16M位(2M字節(jié)),工作電壓為2.7V~3.6V,采用48腳TSOP封裝或48腳FBGA封裝,16位數(shù)據(jù)寬度,可以以8位(字節(jié)模式)或16位(字模式)數(shù)據(jù)寬度的方式工作。

          HY29LV160僅需單3V電壓即可完成在系統(tǒng)的編程與擦除操作,通過(guò)對(duì)其內(nèi)部的命令寄存器寫(xiě)入標(biāo)準(zhǔn)的命令序列,可對(duì)Flash進(jìn)行編程(燒寫(xiě))、整片擦除、按扇區(qū)擦除以及其它操作。

          HY29LV160的邏輯框圖、引腳分布及信號(hào)描述分別如圖1和表1所示:

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/150663.htm

        圖1 HY29LV160引腳分布(TSOP48封裝)

          表1 HY29LV160的引腳信號(hào)描述

        引 腳

        類型

        描 述

        A[19:0]

        I

        地址總線。在字節(jié)模式下,DQ[15]/A[-1]用作21位字節(jié)地址的最低位。

        DQ[15]/A[-1]

        DQ[14:0]

        I/O

        三態(tài)

        數(shù)據(jù)總線。在讀寫(xiě)操作時(shí)提供8位或16位數(shù)據(jù)的寬度。在字節(jié)模式下,DQ[15]/A[-1]用作21位字節(jié)地址的最低位,而DQ[14:8]處于高阻狀態(tài)。

        BYTE#

        I

        模式選擇。低電平選擇字節(jié)模式,高電平選擇字模式

        CE#

        I

        片選信號(hào),低電平有效。在對(duì)HY29LV160進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí),該引腳必須為低電平,當(dāng)為高電平時(shí),芯片處于高阻旁路狀態(tài)

        OE#

        I

        輸出使能低電平有效輸出使能,低電平有效。在讀操作時(shí)有效,寫(xiě)操作時(shí)無(wú)效。

        WE#

        I

        低電平有效寫(xiě)使能,低電平有效。在對(duì)HY29LV160進(jìn)行編程和擦除操作時(shí),控制相應(yīng)的寫(xiě)命令。

        RESET#

        I

        硬件復(fù)位,低電平有效。對(duì)HY29LV160進(jìn)行硬件復(fù)位。當(dāng)復(fù)位時(shí),HY29LV160立即終止正在進(jìn)行的操作。

        RY/BY#

        O

        用就緒/忙狀態(tài)指示。用于指示寫(xiě)或擦除操作是否完成。當(dāng)HY29LV160正在進(jìn)行編程或擦除操作時(shí),該引腳位低電平,操作完成時(shí)為高電平,此時(shí)可讀取內(nèi)部的數(shù)據(jù)。

        VCC

        --

        3.3V電源

        VSS

        --

        接地

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