應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布，治療高血壓用專有有源植入技術的市場領先開發(fā)商CVRx正在使用安森美半導體的技術及制造服務。CVRx最近在歐洲推出第二代植入式降血壓用壓力感受器刺激設備——Barostim neo。

　　安森美半導體在設計及制造適合寬廣醫(yī)療應用的模擬、數字及混合信號半導體方案方面積累的豐富經驗，幫助CVRx在繁多的預生產測試中提供所要求的可靠性及器件性能。此外，CVRx使用安森美半導體的設計套件、知識產權(IP)以及布線和代工服務，壓縮了開發(fā)周期。

　　CVRx的Barostim neo包含3款安森美半導體器件，其中2款是定制專用集成電路(ASIC)，包括一款高壓模擬C5工藝器件，及另一款使用安森美半導體I3T工藝制造、支持數字集成、結合了混合模擬及智能電源高壓結構的數字控制ASIC。小巧的Barostim neo設備中包含的第3款安森美半導體器件是8兆比特(Mb)醫(yī)療存儲器專用標準產品(ASSP)。3款器件均提供低能耗工作，以延長電池工作壽命，這要求對植入醫(yī)療設備殊為關鍵。

　　CVRx, Inc.研發(fā)及運營副總裁Joe DuPay說：“我們選擇安森美半導體來開發(fā)我們最新植入式高血壓治療設備有多重優(yōu)勢。通過結合我們的核心專知及技術與安森美半導體在要求嚴格的醫(yī)療半導體市場的專知、經驗與產品長期支援，我們縮短了產品開發(fā)周期，同時設定了極低能耗及可靠設計的最高標準。”