英特爾公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20納米制程128 Gb多層單元(MLC)NAND設備，在NAND閃存技術(shù)領域樹立了新的標桿。兩家公司還宣布開始量產(chǎn)其20納米制程64Gb NAND閃存，進一步擴展了雙方在NAND制程工藝技術(shù)領域的領導地位。

　　單片容量達128Gb的全新20納米制程NAND設備是由英特爾與美光的合資企業(yè)——IM Flash Technologies(IMFT)開發(fā)而成，它也是業(yè)內(nèi)首款通過在指尖大小的封裝中僅集成8塊芯片來實現(xiàn)1Tb數(shù)據(jù)存儲容量的NAND設備。與英特爾及美光現(xiàn)有的20納米制程64Gb NAND設備相比，新設備在存儲容量和性能方面均提升了一倍。它還符合高速ONFI 3.0(Open NAND Flash Interface 3.0)規(guī)范，傳輸速度可達333 MT/s(每秒百萬次傳輸)，可為用戶帶來更加經(jīng)濟高效的固態(tài)存儲解決方案，以滿足當今纖薄時尚型產(chǎn)品，包括平板電腦、智能手機和大容量固態(tài)硬盤(SSD)的設計需求。

　　美光公司NAND解決方案部門副總裁Glen Hawk表示：“隨著便攜式產(chǎn)品日趨小型化和時尚化，以及服務器需求的日益增加，我們的用戶期望美光能夠推出創(chuàng)新的存儲技術(shù)和系統(tǒng)解決方案來應對這些挑戰(zhàn)。我們將繼續(xù)深化與英特爾公司的合作，不斷推出領先的NAND技術(shù)和提供對構(gòu)建相關系統(tǒng)來說至關重要的專業(yè)知識。”

　　英特爾和美光還透露，其20納米制程工藝技術(shù)成功的關鍵，就在于一種創(chuàng)新的存儲單元結(jié)構(gòu)，它擁有比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)更高的存儲單元可擴展性，這一結(jié)構(gòu)就是業(yè)界首創(chuàng)的平面存儲單元結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)能夠幫助有效克服先進制程技術(shù)一直面臨的挑戰(zhàn)，同時實現(xiàn)毫不遜色于上一代產(chǎn)品的卓越性能與可靠性。平面存儲單元結(jié)構(gòu)通過在NAND閃存制造中集成首個高K/金屬柵極堆棧，成功打破了標準NAND閃存浮置柵極單元的擴展限制。

　　英特爾公司副總裁兼非易失性存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke表示：“在英特爾和美光的攜手努力下，我們的制造團隊創(chuàng)下了多個業(yè)界第一，推出了眾多高密度、低成本的高品質(zhì)20納米制程NAND設備，有力地鞏固了我們在NAND技術(shù)領域的領導地位，對此我們備感振奮。通過使用平面存儲單元結(jié)構(gòu)和高K/金屬柵極堆棧技術(shù)，IMFT進一步提升了我們在NAND閃存解決方案上的技術(shù)能力，以支持更多富有吸引力的全新產(chǎn)品、服務及設備規(guī)格的問世。”

　　當前，三大彼此關聯(lián)的市場趨勢激發(fā)了對于大容量NAND閃存設備的需求，它們包括：數(shù)據(jù)存儲的增長、向云計算的邁進及便攜式設備的廣泛使用。隨著數(shù)字化內(nèi)容的日益增長，用戶希望能夠跨多種設備使用數(shù)據(jù)，并通過云計算進行同步。為有效傳輸數(shù)據(jù)，服務器需要采用高性能、大容量的存儲設備，而這正是NAND閃存的優(yōu)勢所在。與此同時，由于數(shù)據(jù)訪問量的增加，移動設備的存儲容量也在不斷增長，高清晰度視頻就是需要大容量存儲支持的一個應用范例，這是因為以數(shù)據(jù)流方式傳輸此類內(nèi)容難以實現(xiàn)出色的用戶體驗。這些需求使得高性能、小型化的存儲設備日漸受到歡迎，無論是在接收內(nèi)容的移動設備上，還是在交付內(nèi)容的存儲服務器上，它們均可找到用武之地。

　　英特爾和美光表示，通過在12月開始量產(chǎn)20納米制程64Gb NAND閃存產(chǎn)品，將有助于在2012年快速轉(zhuǎn)換到128Gb設備的生產(chǎn)。128Gb設備的樣品將在2012年1月份推出，緊接著在2012年上半年就可實現(xiàn)批量生產(chǎn)。這一里程碑式的轉(zhuǎn)換將會進一步增大產(chǎn)品存儲密度并大幅提升總體產(chǎn)量，同時也可幫助兩家公司的開發(fā)團隊獲得設計復雜存儲解決方案和改善未來相關技術(shù)所需的專業(yè)知識及經(jīng)驗。