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        英飛凌射頻大功率管技術交流會成功舉辦

        作者: 時間:2011-12-07 來源:電子產品世界 收藏

          2011年12與1日,全球知名的半導體企業(yè)英飛凌攜手其增值服務分銷商,在福建泉州聯(lián)袂舉辦“英飛凌技術交流會”,會議主要邀請了來自泉州及周邊城市微波領域的資深技術工程師、管理人員等前來參會。

        本文引用地址:http://www.antipu.com.cn/article/126724.htm

          

         

          圖:英飛凌技術交流會簽到處

          本次會議旨在向業(yè)內客戶分享射頻領域最新的技術應用與市場情況,同時趁此機會與現(xiàn)場的工程師們面對面交流技術設計中的種種疑問,并探討最佳的解決之道。會議首先由來自英飛凌的工程師介紹英飛凌LDMOS產品路線及封裝科技,對于現(xiàn)場工程師們比較關注的infineon LDMOS APD Doherty設計經驗分享則放在本次會議的重心環(huán)節(jié),詳細介紹了Infineon LDMOS供電pin腳的特殊之處,以及如何通過LDMOS型號功率來進行功率分配,微帶計算,從而進行Doherty功放設計;同時針對目前技術發(fā)展需求,介紹了非對稱2路Doherty PA的設計方法,3路Doherty PA設計方法,并著重介紹了如何調試的問題;另外,還就Infineon小信號這一塊,如LNA做了相關介紹;主辦方還安排出充足的時間對現(xiàn)場提出的各種問題進行了深度交流與溝通。

          

         

          圖為:英飛凌射頻技術交流會現(xiàn)場

          來自世強的資深FAE重點對幾款英飛凌LDMOS功放DEMO做了介紹,如針對單載波WCDMA設計的射頻方案,針對PICO 1W項目設計的方案,針對寬帶LDMOS設計的射頻方案等,這些demo方案,大多是由世強射頻實驗室設計而成,根據(jù)不同客戶的需求做的一些方案設計,在保證客戶性能的同時,力求設計簡單,匹配容易,效率高,與預失真配合良好等特點?,F(xiàn)場還詳細介紹了Infineon LDMOS性價比非常高的幾款產品,尤其是針對大功率,如250W單管封裝,340W的LDMOS產品。針對這些產品與技術方案,可憑借強有力的FAE支持團隊,給予客戶更大力度的支持。


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