非易失性存儲芯片(NVM)專利廠商Kilopass公司本周二宣布，將把自己一項(xiàng)有關(guān)單次可編程型NVM產(chǎn)品專利授權(quán)給中芯國際使用，中芯國際將使用55nm制程技術(shù)制造使用這項(xiàng)專利技術(shù)的NVM存儲芯片。

　　Kilopass同時表示，他們已經(jīng)成功完成了基于中芯國際65nm制程產(chǎn)品的流片設(shè)計工作，兩家公司自2005年起便建立了合作關(guān)系，當(dāng)時Kilopass剛剛把其單次可編程N(yùn)VM芯片的技術(shù)專利授權(quán)給中芯國際制造180nm制程產(chǎn)品。隨后，Kilopass依次又將有關(guān)的技術(shù)授權(quán)給了中芯130nm，90nm，65nm級別制程的產(chǎn)品。

　　據(jù)Kilopass稱，中芯國際的客戶需要將這種NVM芯片嵌入到多媒體處理器，MCU，RFID IC射頻識別芯片中去，以儲存數(shù)據(jù)，自舉代碼，芯片ID等數(shù)據(jù)。

　　“很高興看到中芯國際愿意繼續(xù)在55nm制程產(chǎn)品上與我們合作研發(fā)NVM存儲芯片技術(shù)。將制程由65nm進(jìn)化到55nm后，芯片的面積和生產(chǎn)成本都將減小20%，而且不需要重新設(shè)計掩膜板，這對提高SOC芯片產(chǎn)品的競爭力而言非常有益。”

　　另據(jù)Kilopass宣稱，其授權(quán)的雙晶體管型反熔絲(2T antifuse)專利技術(shù)目前為止已經(jīng)被使用在20億片采用單次可編程型NVM存儲技術(shù)解決方案的芯片產(chǎn)品上，這種專利技術(shù)只需要使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯電路即可構(gòu)建，不需要變動掩膜板設(shè)計，芯片的制造工序/制造用設(shè)備等也可以保持不變。

　　PS:反熔絲技術(shù)(antifuse)是一種金屬間的可編程互連組件,與消費(fèi)電子領(lǐng)域常見的閃存技術(shù)在晶體管結(jié)構(gòu)上有所區(qū)別，但均可用于存儲數(shù)據(jù)。反熔絲一般處于開路狀態(tài)，且當(dāng)編程后就形成一個永久性的無源低阻抗連接。由于對反熔絲編程需要多個高壓脈沖，因此，高能粒子不可能改變其編程狀態(tài)。