聯(lián)電23日結(jié)算前年10月成立的宏寶科技，將宏寶的3D芯片技術(shù)團隊移植到聯(lián)電的研發(fā)部門。市場預(yù)期，未來3D IC可望成為聯(lián)電在28納米上的重點產(chǎn)品，拉近與臺積電的距離，亦可望對爾必達、力成合作案有加分作用。

　　聯(lián)電則表示，這項做法不但可使投資成本降低，轉(zhuǎn)為內(nèi)部之后，也對未來開發(fā)3D芯片擁有成本上的優(yōu)勢。

　　3D芯片是28納米以下先進制程的重要發(fā)展趨勢，主要是透過芯片立體堆棧的模式，讓不同不同基板的晶以硅穿孔(TSV )堆棧在一起，如此一來，可達到體積小及低耗電需求。

　　聯(lián)電是在前年10月19日成立宏寶科技，當(dāng)時鎖定影像感測組件及內(nèi)存產(chǎn)品，并由聯(lián)電旗下100%誠創(chuàng)投及真宏投資共持有七成股權(quán)，且由執(zhí)行長孫世偉擔(dān)任董事長，目前全公司人員有100多人。經(jīng)過清算，將優(yōu)先把技術(shù)背景為主的工程師納入聯(lián)電。

　　聯(lián)電并于去年6月與爾必達、力成宣布一起合作，針對包括28納米的先進制程，提升3D IC的整合技術(shù)，透過爾必達提供的DRAM技術(shù)、力成的封裝技術(shù)，以及聯(lián)電的先進邏輯技術(shù)，建立完整解決方案。

　　聯(lián)電表示，目前與爾必達、力成的合作仍在進行，預(yù)計2012年產(chǎn)品導(dǎo)入量產(chǎn)，清算宏寶，并不影響與爾必達、力成的合作;在聯(lián)電內(nèi)部成立3D芯片研發(fā)團隊后，也許對與爾必達、力成合作案有加分作用。