據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，包括英特爾，戴爾，EMC，IBM和富士通在內(nèi)的一些IT廠商正在致力于將高性能固態(tài)硬盤進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化，標(biāo)準(zhǔn)化的內(nèi)容有制定單一的形成因素以及一個(gè)新的基于PCIe的接口。他們的目標(biāo)是當(dāng)與現(xiàn)有SAS和Sata驅(qū)動(dòng)兼容時(shí)提高性能。該功能預(yù)計(jì)在2011年6月份推出。制定該標(biāo)準(zhǔn)的目的不是為了替代原有標(biāo)準(zhǔn)，而是對(duì)原有標(biāo)準(zhǔn)的改進(jìn)。

　　這些廠商生產(chǎn)的固態(tài)硬盤比較出名，他們期望將硬盤規(guī)范到熟悉的2.5in形成因子，同時(shí)可以添加一個(gè)新的連接器，能夠支持多種協(xié)議支持，例如PCIe3，SAS3.0，Sata3.0。

　　PCIe對(duì)于高帶寬應(yīng)用已經(jīng)非常普遍，并且在IOPS中表現(xiàn)出了很高的性能和很低的可能性延時(shí)。該標(biāo)準(zhǔn)的另一個(gè)好處是形成多路能力以及熱插拔支持，以便在生產(chǎn)系統(tǒng)中很容易的添加或刪除驅(qū)動(dòng)器。