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        尼康NA超過(guò)1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用

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        作者: 時(shí)間:2006-02-21 來(lái)源: 收藏
         日前正式宣布,2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝(hp55)芯片制造、開(kāi)口數(shù)()為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)超過(guò)1的液浸ArF曝光設(shè)備。 

          這家大型半導(dǎo)體廠商的名字,沒(méi)有公布,估計(jì)是過(guò)去在技術(shù)方面與之開(kāi)展合作的東芝。 

          作為全折射型液浸曝光設(shè)備,NSR-S609B具有全球最大的,配合偏光照明技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對(duì)于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問(wèn)題,據(jù)稱(chēng)利用名為“Local-fill(局部液浸)”的自主技術(shù)已經(jīng)得到解決。另外,還利用“Random Stage”技術(shù)提高了吞吐量。 

          該設(shè)備原計(jì)劃2005年底至2006年初開(kāi)始供貨,因此看來(lái)開(kāi)發(fā)工作基本上是按計(jì)劃進(jìn)行的。所供應(yīng)的設(shè)備正在安裝調(diào)試。而荷蘭ASML則計(jì)劃2006年第2季度供應(yīng)NA1.2的曝光設(shè)備,可以想象競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)非常激烈。


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