2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發(fā)的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。

1nm 晶圓的開發(fā)需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。

另一方面，臺積電也正在推出 2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA 技術的試產過程中，據報道其良率達到了 30%，這比 3 納米 GAA 工藝有所提升，但仍有很大提升空間。據稱，臺積電也已開始開發(fā) 1.4 納米節(jié)點，因此三星在 1 納米工藝上的突破將使其取得一些領先優(yōu)勢。

根據爆料人@Jukanlosreve披露的細節(jié)，該公司的 1nm 工藝被稱為“夢想中的半導體工藝”，而要實現這一目標，需要使用高數值孔徑 EUV 曝光設備，而三星尚未購置此類設備。報道還提到，一些參與開發(fā)這一尖端工藝的研究人員已被調入團隊。

這篇報道的有趣之處在于，此前有消息稱三星已取消其1.4納米制程，這可能是因為三星正將資源和人力集中用于2納米技術，盡管三星并未透露采取這一舉措的具體原因。假設三星成功生產出首顆1納米晶圓，該公司也需要一段時間才能實現量產，因為其目標是在2029年，也就是四年后，在此期間，這家韓國巨頭會有很大可能遇到一些生產障礙。